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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 安装类型 | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 漏极到源极电压 (Vdss) | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 认证 | FET 特性 | 供应商设备封装 | 等级 | 功耗（最大值） | 工作温度 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF1228.0A, 100V, 0.36 OHM, N-CHANNEL, International Rectifier |
731 | - |
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数据表 |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IRF6775MTRPBFIRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW International Rectifier |
597 | - |
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数据表 |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MZ | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 4.9A (Ta), 28A (Tc) | 10V | 56mOhm @ 5.6A, 10V | Surface Mount | 5V @ 100µA | 36 nC @ 10 V | 150 V | ±20V | 1411 pF @ 25 V | - | - | DIRECTFET™ MZ | - | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
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IRF1010ZPBFIRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW International Rectifier |
350 | - |
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数据表 |
HEXFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75A (Tc) | 10V | 7.5mOhm @ 75A, 10V | Through Hole | 4V @ 250µA | 95 nC @ 10 V | 55 V | ±20V | 2840 pF @ 25 V | - | - | TO-220AB | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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IRF8113GPBFMOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO International Rectifier |
3,080 | - |
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数据表 |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 17.2A (Ta) | 4.5V, 10V | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V | Surface Mount | 2.2V @ 250µA | 36 nC @ 4.5 V | 30 V | ±20V | 2910 pF @ 15 V | - | - | 8-SO | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
