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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
UES1306

UES1306

DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Microchip Technology

45 -
UES1306

数据表

- B, Axial Bulk Active Standard 400 V 1.25 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 20 µA @ 400 V - 3A - - Through Hole B, Axial -55°C ~ 150°C
MSC030SDA170B

MSC030SDA170B

DIODE SIL CARB 1.7KV 82A TO247

Microchip Technology

44 -
MSC030SDA170B

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1700 V 2070pF @ 1V, 1MHz 82A - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
1N4249US/TR

1N4249US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

6,638 -
1N4249US/TR

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
1N4246US/TR

1N4246US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

8,427 -
1N4246US/TR

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
1N4248US/TR

1N4248US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

4,219 -
1N4248US/TR

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
1N4247US/TR

1N4247US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

9,818 -
1N4247US/TR

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
1N4245US/TR

1N4245US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

2,430 -
1N4245US/TR

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
APTDF500U40G

APTDF500U40G

DIODE GEN PURP 400V 500A LP4

Microchip Technology

10 -
APTDF500U40G

数据表

- LP4 Bulk Active Standard 400 V 1.5 V @ 500 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 120 ns 2.5 mA @ 400 V - 500A - - Chassis Mount LP4 -
1N5186

1N5186

DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Microchip Technology

4,700 -
1N5186

数据表

- B, Axial Bulk Active Standard 100 V 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 2 µA @ 100 V - 3A - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5187

1N5187

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Microchip Technology

6,209 -
1N5187

数据表

- B, Axial Bulk Active Standard 200 V 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 2 µA @ 200 V - 3A - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
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