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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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MSC020SDA120K

MSC020SDA120K

DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO220-2

Microchip Technology

105 -
MSC020SDA120K

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1130pF @ 1V, 1MHz 49A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
UES1104

UES1104

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Microchip Technology

105 -
UES1104

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 200 V - 1A - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 150°C
MNS1N6627US/TR

MNS1N6627US/TR

DIODE GEN PURP 440V 1.75A E-MELF

Microchip Technology

483 -
MNS1N6627US/TR

数据表

- SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 440 V 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 440 V - 1.75A - - Surface Mount E-MELF -65°C ~ 150°C
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