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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FDS2170N7

FDS2170N7

MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC

Fairchild Semiconductor

16,104 -
FDS2170N7

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 10V 128mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V 200 V ±20V 1292 pF @ 100 V - - 8-SO - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDS2070N7

FDS2070N7

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO

Fairchild Semiconductor

12,739 -
FDS2070N7

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.1A (Ta) 6V, 10V 78mOhm @ 4.1A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V 150 V ±20V 1884 pF @ 75 V - - 8-SO - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDS3170N7

FDS3170N7

MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO

Fairchild Semiconductor

179 -
FDS3170N7

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.7A (Ta) 6V, 10V 26mOhm @ 6.7A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 77 nC @ 10 V 100 V ±20V 2714 pF @ 50 V - - 8-SO - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
HUF76645S3ST

HUF76645S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

788 -
HUF76645S3ST

数据表

UltraFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 75A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 153 nC @ 10 V 100 V ±16V 4400 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDMS2504SDC

FDMS2504SDC

MOSFET N-CH 25V 42A/49A DLCOOL56

Fairchild Semiconductor

7,247 -
FDMS2504SDC

数据表

Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ 8-PowerTDFN Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 42A (Ta), 49A (Tc) 4.5V, 10V 1.25mOhm @ 32A, 10V Surface Mount 3V @ 1mA 119 nC @ 10 V 25 V ±20V 7770 pF @ 13 V - - 8-PQFN (5x6) - 3.3W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFS750A

IRFS750A

MOSFET N-CH 400V 8.4A TO220F

Fairchild Semiconductor

269 -
IRFS750A

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8.4A (Tc) 10V 300mOhm @ 4.2A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 131 nC @ 10 V 400 V ±30V 2780 pF @ 25 V - - TO-220F-3 - 49W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDP15N50

FDP15N50

MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3

Fairchild Semiconductor

4,353 -
FDP15N50

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 380mOhm @ 7.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 41 nC @ 10 V 500 V ±30V 1850 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
ISL9N302AS3ST

ISL9N302AS3ST

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Fairchild Semiconductor

50,762 -
ISL9N302AS3ST

数据表

UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 75A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 300 nC @ 10 V 30 V ±20V 11000 pF @ 15 V - - TO-263 (D2PAK) - 345W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQA13N50C

FQA13N50C

MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P

Fairchild Semiconductor

7,048 -
FQA13N50C

数据表

QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13.5A (Tc) 10V 480mOhm @ 6.75A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V 500 V ±30V 2055 pF @ 25 V - - TO-3P - 218W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
HUFA75345P3

HUFA75345P3

MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3

Fairchild Semiconductor

6,758 -
HUFA75345P3

数据表

UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 7mOhm @ 75A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 275 nC @ 20 V 55 V ±20V 4000 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 325W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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