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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SFW9Z24TM

SFW9Z24TM

P-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

1,600 -
SFW9Z24TM

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9.7A (Tc) 10V 280mOhm @ 4.9A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V 60 V ±30V 600 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 3.8W (Ta), 49W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
HUF75321S3S

HUF75321S3S

MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK

Fairchild Semiconductor

1,204 -
HUF75321S3S

数据表

UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35A (Tc) - 34mOhm @ 35A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 44 nC @ 20 V 55 V ±20V 680 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 93W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
HUF76107D3S

HUF76107D3S

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

1,050 -
HUF76107D3S

数据表

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 4.5V, 10V 52mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 10.3 nC @ 10 V 30 V ±20V 315 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDD6512A

FDD6512A

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK

Fairchild Semiconductor

383,630 -
FDD6512A

数据表

PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10.7A (Ta), 36A (Tc) 2.5V, 4.5V 21mOhm @ 10.7A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 1082 pF @ 10 V - - TO-252 (DPAK) - 3.8W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NDS8426A

NDS8426A

MOSFET N-CH 20V 10.5A 8SOIC

Fairchild Semiconductor

296,640 -
NDS8426A

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10.5A (Ta) 2.7V, 4.5V 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 60 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 2150 pF @ 10 V - - 8-SOIC - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQD5N40TM

FQD5N40TM

MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Fairchild Semiconductor

155,118 -
FQD5N40TM

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.4A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 1.7A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V 400 V ±30V 460 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDD6778A

FDD6778A

MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK

Fairchild Semiconductor

128,596 -
FDD6778A

数据表

PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Ta) 4.5V, 10V 14mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 17 nC @ 10 V 25 V ±20V 870 pF @ 13 V - - TO-252 (DPAK) - 3.7W (Ta), 24W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDFC3N108

FDFC3N108

MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT6

Fairchild Semiconductor

98,521 -
FDFC3N108

数据表

- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 2.5V, 4.5V 70mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 4.9 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 355 pF @ 10 V - Schottky Diode (Isolated) SuperSOT™-6 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
FDG361N

FDG361N

MOSFET N-CH 100V 600MA SC88

Fairchild Semiconductor

98,270 -
FDG361N

数据表

PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600mA (Ta) 6V, 10V 500mOhm @ 600mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 5 nC @ 10 V 100 V ±20V 153 pF @ 50 V - - SC-88 (SC-70-6) - 420mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDD7030BL

FDD7030BL

MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK

Fairchild Semiconductor

80,423 -
FDD7030BL

数据表

PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Ta), 56A (Tc) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 14A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 20 nC @ 5 V 30 V ±20V 1425 pF @ 15 V - - TO-252 (DPAK) - 2.8W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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