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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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ISL9N315AD3

ISL9N315AD3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

16,032 -
ISL9N315AD3

数据表

UltraFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 30A, 10V Through Hole 3V @ 250µA 28 nC @ 10 V 30 V ±20V 900 pF @ 15 V - - IPAK - 55W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
HUFA76423D3ST

HUFA76423D3ST

MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

Fairchild Semiconductor

8,598 -
HUFA76423D3ST

数据表

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 4.5V, 10V 32mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 34 nC @ 10 V 60 V ±16V 1060 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SFP2955

SFP2955

P-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

5,794 -
SFP2955

数据表

- TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9.4A (Tc) 10V 300mOhm @ 4.7A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V 60 V ±20V 600 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 49W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SFS9614

SFS9614

P-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

4,236 -
SFS9614

数据表

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.27A (Tc) 10V 4Ohm @ 600mA, 10V Through Hole 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V 250 V ±30V 295 pF @ 25 V - - TO-220F - 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQD4N50TM

FQD4N50TM

MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK

Fairchild Semiconductor

3,035 -
FQD4N50TM

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.6A (Tc) 10V 2.7Ohm @ 1.3A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V 500 V ±30V 460 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRL620A

IRL620A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

1,890 -
IRL620A

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Tc) 5V 800mOhm @ 2.5A, 5V Through Hole 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V 200 V ±20V 430 pF @ 25 V - - TO-220 - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
HUFA76619D3ST

HUFA76619D3ST

MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA

Fairchild Semiconductor

1,688 -
HUFA76619D3ST

数据表

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 4.5V, 10V 85mOhm @ 18A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 29 nC @ 10 V 100 V ±16V 767 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDG330P

FDG330P

MOSFET P-CH 12V 2A SC88

Fairchild Semiconductor

219,496 -
FDG330P

数据表

PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Ta) - 110mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 7 nC @ 4.5 V 12 V ±8V 477 pF @ 6 V - - SC-88 (SC-70-6) - 480mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
NDH832P

NDH832P

MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8

Fairchild Semiconductor

73,243 -
NDH832P

数据表

- 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.2A (Ta) 2.7V, 4.5V 60mOhm @ 4.2A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 30 nC @ 4.5 V 20 V -8V 1000 pF @ 10 V - - SuperSOT™-8 - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFW740BTM

IRFW740BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

70,400 -
IRFW740BTM

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 540mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V 400 V ±30V 1800 pF @ 25 V - - D2PAK - 3.13W (Ta), 134W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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