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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
SQS401EN-T1_GE3

SQS401EN-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

4,022 -
SQS401EN-T1_GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 4.5V, 10V 29mOhm @ 12A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 21.2 nC @ 4.5 V 40 V ±20V 1875 pF @ 20 V - - PowerPAK® 1212-8 - 62.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQS401ENW-T1_GE3

SQS401ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

5,672 -
SQS401ENW-T1_GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8W Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 4.5V, 10V 29mOhm @ 12A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 21.2 nC @ 4.5 V 40 V ±20V 1875 pF @ 20 V AEC-Q101 - PowerPAK® 1212-8W Automotive 62.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF720STRRPBF

IRF720STRRPBF

MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK

Vishay Siliconix

9,253 -
IRF720STRRPBF

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.3A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V 400 V ±20V 410 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.1W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI4190BDY-T1-GE3

SI4190BDY-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-

Vishay Siliconix

8,858 -
SI4190BDY-T1-GE3

数据表

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Ta), 17A (Tc) 4.5V, 10V 9.3mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 95 nC @ 10 V 100 V ±20V 4150 pF @ 50 V - - 8-SOIC - 3.8W (Ta), 8.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF840LCPBF-BE3

IRF840LCPBF-BE3

MOSFET N-CHANNEL 500V

Vishay Siliconix

997 -
IRF840LCPBF-BE3

数据表

- TO-220-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V 500 V ±30V 1100 pF @ 25 V - - TO-220AB - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIHA15N50E-E3

SIHA15N50E-E3

MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220

Vishay Siliconix

968 -
SIHA15N50E-E3

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14.5A (Tc) 10V 280mOhm @ 7.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V 500 V ±30V 1162 pF @ 100 V - - TO-220 Full Pack - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRLI620GPBF

IRLI620GPBF

MOSFET N-CH 200V 4A TO220-3

Vishay Siliconix

4,774 -
IRLI620GPBF

数据表

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Tc) 4V, 5V 800mOhm @ 2.4A, 5V Through Hole 2V @ 250µA 16 nC @ 10 V 200 V ±10V 360 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1410EDH-T1-E3

SI1410EDH-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6

Vishay Siliconix

2,341 -
SI1410EDH-T1-E3

数据表

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.9A (Ta) 1.8V, 4.5V 70mOhm @ 3.7A, 4.5V Surface Mount 450mV @ 250µA (Min) 8 nC @ 4.5 V 20 V ±12V - - - SC-70-6 - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI3433BDV-T1-E3

SI3433BDV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP

Vishay Siliconix

8,473 -
SI3433BDV-T1-E3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.3A (Ta) 1.8V, 4.5V 42mOhm @ 5.6A, 4.5V Surface Mount 850mV @ 250µA 18 nC @ 4.5 V 20 V ±8V - - - 6-TSOP - 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI6433BDQ-T1-E3

SI6433BDQ-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP

Vishay Siliconix

9,340 -
SI6433BDQ-T1-E3

数据表

- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Ta) 2.5V, 4.5V 40mOhm @ 4.8A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V 12 V ±8V - - - 8-TSSOP - 1.05W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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