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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRF820SPBF

IRF820SPBF

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

Vishay Siliconix

9,652 -
IRF820SPBF

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.5A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V 500 V ±20V 360 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.1W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR9014PBF-BE3

IRFR9014PBF-BE3

P-CHANNEL 60V

Vishay Siliconix

2,968 -
IRFR9014PBF-BE3

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V 60 V ±20V 270 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI4124DY-T1-E3

SI4124DY-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO

Vishay Siliconix

5,430 -
SI4124DY-T1-E3

数据表

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20.5A (Tc) 4.5V, 10V 7.5mOhm @ 14A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 77 nC @ 10 V 40 V ±20V 3540 pF @ 20 V - - 8-SOIC - 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI4874BDY-T1-GE3

SI4874BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Vishay Siliconix

3,422 -
SI4874BDY-T1-GE3

数据表

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Ta) 4.5V, 10V 7mOhm @ 16A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 25 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 3230 pF @ 15 V - - 8-SOIC - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIHA690N60E-GE3

SIHA690N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220

Vishay Siliconix

4,730 -
SIHA690N60E-GE3

数据表

E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.3A (Tc) 10V 700mOhm @ 2A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 12 nC @ 10 V 600 V ±30V 347 pF @ 100 V - - TO-220 Full Pack - 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SISS5112DN-T1-GE3

SISS5112DN-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

Vishay Siliconix

11,904 -
SISS5112DN-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Ta), 40.7A (Tc) 7.5V, 10V 14.9mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 16 nC @ 10 V 100 V ±20V 790 pF @ 50 V - - PowerPAK® 1212-8S - 3.7W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR220PBF-BE3

IRFR220PBF-BE3

N-CHANNEL 200V

Vishay Siliconix

3,000 -
IRFR220PBF-BE3

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.8A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.9A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V 200 V ±20V 260 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR9110TRLPBF

IRFR9110TRLPBF

MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

Vishay Siliconix

3,000 -
IRFR9110TRLPBF

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.1A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V 100 V ±20V 200 pF @ 25 V - - DPAK - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIR802DP-T1-GE3

SIR802DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

7,145 -
SIR802DP-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 2.5V, 10V 5mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 1.5V @ 250µA 32 nC @ 10 V 20 V ±12V 1785 pF @ 10 V - - PowerPAK® SO-8 - 4.6W (Ta), 27.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI8497DB-T2-E1

SI8497DB-T2-E1

MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT

Vishay Siliconix

3,091 -
SI8497DB-T2-E1

数据表

TrenchFET® 6-UFBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13A (Tc) 2V, 4.5V 53mOhm @ 1.5A, 4.5V Surface Mount 1.1V @ 250µA 49 nC @ 10 V 30 V ±12V 1320 pF @ 15 V - - 6-microfoot - 2.77W (Ta), 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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