富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
SQM25N15-52_GE3

SQM25N15-52_GE3

MOSFET N-CH 150V 25A TO263

Vishay Siliconix

2,752 -
SQM25N15-52_GE3

数据表

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Tc) 10V 52mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V 150 V ±20V 2360 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-263 (D2PAK) Automotive 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQP100N04-3M6_GE3

SQP100N04-3M6_GE3

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

Vishay Siliconix

2,458 -
SQP100N04-3M6_GE3

数据表

TrenchFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 10V 3.6mOhm @ 30A, 10V Through Hole 3.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V 40 V ±20V 7200 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-220AB Automotive 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQP100P06-9M3L_GE3

SQP100P06-9M3L_GE3

MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB

Vishay Siliconix

2,035 -
SQP100P06-9M3L_GE3

数据表

TrenchFET® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 4.5V, 10V 9.3mOhm @ 30A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 300 nC @ 10 V 60 V ±20V 12010 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-220AB Automotive 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQP120N06-06_GE3

SQP120N06-06_GE3

MOSFET N-CH 60V 119A TO220AB

Vishay Siliconix

8,801 -
SQP120N06-06_GE3

数据表

TrenchFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 119A (Tc) 10V 6mOhm @ 30A, 10V Through Hole 3.5V @ 250µA 145 nC @ 10 V 60 V ±20V 6495 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-220AB Automotive 175W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQP120N06-3M5L_GE3

SQP120N06-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

Vishay Siliconix

3,902 -
SQP120N06-3M5L_GE3

数据表

TrenchFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 30A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 330 nC @ 10 V 60 V ±20V 14700 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-220AB Automotive 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQP120N06-6M7_GE3

SQP120N06-6M7_GE3

MOSFET N-CH 60V TO220AB

Vishay Siliconix

7,107 -
SQP120N06-6M7_GE3

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete - - 119A (Tc) - - Through Hole - - - - - - - TO-220AB - - -
SQP120N10-3M8_GE3

SQP120N10-3M8_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

Vishay Siliconix

5,828 -
SQP120N10-3M8_GE3

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 20A, 10V Through Hole 3.5V @ 250µA 190 nC @ 10 V 100 V ±20V 7230 pF @ 25 V - - TO-220AB - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQP120P06-6M7L_GE3

SQP120P06-6M7L_GE3

MOSFET P-CH 60V TO220AB

Vishay Siliconix

5,820 -
SQP120P06-6M7L_GE3

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete - - 119A (Tc) - - Through Hole - - - - - - - TO-220AB - - -
SQP25N15-52_GE3

SQP25N15-52_GE3

MOSFET N-CH 150V 25A TO220AB

Vishay Siliconix

9,617 -
SQP25N15-52_GE3

数据表

TrenchFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Tc) 10V 52mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V 150 V ±20V 2360 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-220AB Automotive 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQP50N06-09L_GE3

SQP50N06-09L_GE3

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

Vishay Siliconix

4,627 -
SQP50N06-09L_GE3

数据表

TrenchFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 20A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V 60 V ±20V 3065 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-220AB Automotive 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户