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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SQJ858EP-T1_GE3

SQJ858EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

3,834 -
SQJ858EP-T1_GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 11A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 60 nC @ 10 V 40 V ±20V 2500 pF @ 20 V AEC-Q101 - PowerPAK® SO-8 Automotive 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SIR164DP-T1-RE3

SIR164DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

7,049 -
SIR164DP-T1-RE3

数据表

TrenchFET® Gen III PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 123 nC @ 10 V 30 V ±20V 3950 pF @ 15 V - - PowerPAK® SO-8 - 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI2302ADS-T1-E3

SI2302ADS-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Vishay Siliconix

8,562 -
SI2302ADS-T1-E3

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.1A (Ta) 2.5V, 4.5V 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Surface Mount 1.2V @ 50µA 10 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 300 pF @ 10 V - - SOT-23-3 (TO-236) - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI3454ADV-T1-E3

SI3454ADV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP

Vishay Siliconix

3,598 -
SI3454ADV-T1-E3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.4A (Ta) 4.5V, 10V 60mOhm @ 4.5A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 15 nC @ 10 V 30 V ±20V - - - 6-TSOP - 1.14W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI7868ADP-T1-E3

SI7868ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

2,752 -
SI7868ADP-T1-E3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 4.5V, 10V 2.25mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 1.6V @ 250µA 150 nC @ 10 V 20 V ±16V 6110 pF @ 10 V - - PowerPAK® SO-8 - 5.4W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI3455ADV-T1-E3

SI3455ADV-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP

Vishay Siliconix

6,307 -
SI3455ADV-T1-E3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.7A (Ta) 4.5V, 10V 100mOhm @ 3.5A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 13 nC @ 10 V 30 V ±20V - - - 6-TSOP - 1.14W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIHK185N60EF-T1GE3

SIHK185N60EF-T1GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

2,000 -
SIHK185N60EF-T1GE3

数据表

EF 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 10V 193mOhm @ 9.5A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 32 nC @ 10 V 600 V ±30V 1081 pF @ 100 V - - PowerPAK®10 x 12 - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1046R-T1-GE3

SI1046R-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V SC75A

Vishay Siliconix

9,670 -
SI1046R-T1-GE3

数据表

TrenchFET® SC-75, SOT-416 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 606mA ( Ta) 1.8V, 4.5V 420mOhm @ 606mA, 4.5V Surface Mount 950mV @ 250µA 1.49 nC @ 5 V 20 V ±8V 66 pF @ 10 V - - SC-75A - 250mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIHH14N60EF-T1-GE3

SIHH14N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8

Vishay Siliconix

3,000 -
SIHH14N60EF-T1-GE3

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 266mOhm @ 7A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 84 nC @ 10 V 600 V ±30V 1449 pF @ 100 V - - PowerPAK® 8 x 8 - 147W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SQ1420EEH-T1-GE3

SQ1420EEH-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6

Vishay Siliconix

3,378 -
SQ1420EEH-T1-GE3

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.6A (Tc) - 140mOhm @ 1.2A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 4 nC @ 4.5 V 60 V - 215 pF @ 25 V - - SC-70-6 - - -
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