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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRFS9N60ATRLPBF

IRFS9N60ATRLPBF

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

Vishay Siliconix

950 -
IRFS9N60ATRLPBF

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9.2A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V 600 V ±30V 1400 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SQ2318CES-T1_GE3

SQ2318CES-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3

Vishay Siliconix

7,114 -
SQ2318CES-T1_GE3

数据表

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Tc) 4.5V, 10V 31mOhm @ 7.9A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 13 nC @ 10 V 40 V ±20V 553 pF @ 20 V AEC-Q101 - SOT-23-3 (TO-236) Automotive 3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQ2362CES-T1_GE3

SQ2362CES-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3

Vishay Siliconix

9,796 -
SQ2362CES-T1_GE3

数据表

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.3A (Tc) 4.5V, 10V 68mOhm @ 2.4A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V 60 V ±20V 550 pF @ 30 V AEC-Q101 - SOT-23-3 (TO-236) Automotive 3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQ3425CEV-T1_GE3

SQ3425CEV-T1_GE3

MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP

Vishay Siliconix

9,635 -
SQ3425CEV-T1_GE3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.4A (Tc) 2.5V, 4.5V 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Surface Mount 1.4V @ 250µA 10.3 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 840 pF @ 10 V AEC-Q101 - 6-TSOP Automotive 5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SI5479DU-T1-GE3

SI5479DU-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 16A PPAK

Vishay Siliconix

5,043 -
SI5479DU-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® ChipFET™ Single Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 1.8V, 4.5V 21mOhm @ 6.9A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 51 nC @ 8 V 12 V ±8V 1810 pF @ 6 V - - PowerPAK® ChipFET™ Single - 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI5480DU-T1-GE3

SI5480DU-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK

Vishay Siliconix

6,811 -
SI5480DU-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® ChipFET™ Single Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 7.2A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 34 nC @ 10 V 30 V ±20V 1230 pF @ 15 V - - PowerPAK® ChipFET™ Single - 3.1W (Ta), 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI5481DU-T1-GE3

SI5481DU-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK

Vishay Siliconix

8,929 -
SI5481DU-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® ChipFET™ Single Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 1.8V, 4.5V 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 50 nC @ 8 V 20 V ±8V 1610 pF @ 10 V - - PowerPAK® ChipFET™ Single - 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI5485DU-T1-GE3

SI5485DU-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK

Vishay Siliconix

6,210 -
SI5485DU-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® ChipFET™ Single Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 2.5V, 4.5V 25mOhm @ 5.9A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 42 nC @ 8 V 20 V ±12V 1100 pF @ 10 V - - PowerPAK® ChipFET™ Single - 3.1W (Ta), 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF644STRRPBF

IRF644STRRPBF

MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK

Vishay Siliconix

605 -
IRF644STRRPBF

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Tc) 10V 280mOhm @ 8.4A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 68 nC @ 10 V 250 V ±20V 1300 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI8417DB-T2-E1

SI8417DB-T2-E1

MOSFET P-CH 12V 14.5A 6MICROFOOT

Vishay Siliconix

2,265 -
SI8417DB-T2-E1

数据表

TrenchFET® 6-MICRO FOOT®CSP Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14.5A (Tc) 1.8V, 4.5V 21mOhm @ 1A, 4.5V Surface Mount 900mV @ 250µA 57 nC @ 5 V 12 V ±8V 2220 pF @ 6 V - - 6-Micro Foot™ (1.5x1) - 2.9W (Ta), 6.57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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