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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SCT3040KRC14

SCT3040KRC14

SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L

Rohm Semiconductor

806 -
SCT3040KRC14

数据表

- TO-247-4 Tube Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 55A (Tc) 18V 52mOhm @ 20A, 18V Through Hole 5.6V @ 10mA 107 nC @ 18 V 1200 V +22V, -4V 1337 pF @ 800 V - - TO-247-4L - 262W 175°C (TJ)
SCT3030ARC14

SCT3030ARC14

SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L

Rohm Semiconductor

153 -
SCT3030ARC14

数据表

- TO-247-4 Tube Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 70A (Tc) 18V 39mOhm @ 27A, 18V Through Hole 5.6V @ 13.3mA 104 nC @ 18 V 650 V +22V, -4V 1526 pF @ 500 V - - TO-247-4L - 262W 175°C (TJ)
RDN100N20

RDN100N20

MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN

Rohm Semiconductor

3,527 -
RDN100N20

数据表

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Ta) 10V 360mOhm @ 5A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 30 nC @ 10 V 200 V ±30V 543 pF @ 10 V - - TO-220FN - 35W (Tc) 150°C (TJ)
RSR025N03TL

RSR025N03TL

MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3

Rohm Semiconductor

946 -
RSR025N03TL

数据表

- SC-96 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.5A (Ta) 4V, 10V 70mOhm @ 2.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 4.1 nC @ 5 V 30 V 20V 165 pF @ 10 V - - TSMT3 - 1W (Ta) 150°C (TJ)
BSS84WT106

BSS84WT106

PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL

Rohm Semiconductor

371 -
BSS84WT106

数据表

- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 210mA (Ta) 4.5V, 10V 5.3Ohm @ 210mA, 10V Surface Mount 2.5V @ 200µA - 60 V ±20V 34 pF @ 30 V - - UMT3 - 200mW (Ta) 150°C (TJ)
BSS670T116

BSS670T116

NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG

Rohm Semiconductor

262 -
BSS670T116

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650mA (Ta) 2.5V, 10V 680mOhm @ 650mA, 10V Surface Mount 2V @ 10µA - 60 V ±20V 47 pF @ 30 V - - SST3 - 200mW (Ta) 150°C (TJ)
RRL025P03FRATR

RRL025P03FRATR

MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6

Rohm Semiconductor

815 -
RRL025P03FRATR

数据表

- 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.5A (Ta) 4V, 10V 75mOhm @ 2.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 12 nC @ 10 V 30 V ±20V 480 pF @ 10 V AEC-Q101 - TUMT6 Automotive 1W (Ta) 150°C (TJ)
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

Rohm Semiconductor

690 -
RQ6E030ATTCR

数据表

- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) - 91mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 5.4 nC @ 10 V 30 V - 240 pF @ 15 V - - TSMT6 (SC-95) - - -
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP

Rohm Semiconductor

900 -
RS1E130GNTB

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13A (Ta) 4.5V, 10V 11.7mOhm @ 13A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 7.9 nC @ 10 V 30 V ±20V 420 pF @ 15 V - - 8-HSOP - 3W (Ta), 22.2W (Tc) 150°C (TJ)
RTQ020N05HZGTR

RTQ020N05HZGTR

MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6

Rohm Semiconductor

171 -
RTQ020N05HZGTR

数据表

- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Ta) 2.5V, 4.5V 190mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 1mA 2.3 nC @ 4.5 V 45 V ±12V 150 pF @ 10 V AEC-Q101 - TSMT6 (SC-95) Automotive 950mW (Ta) 150°C (TJ)
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