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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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RT1A060APTR

RT1A060APTR

MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST

Rohm Semiconductor

56 -
RT1A060APTR

数据表

- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Last Time Buy P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Ta) 1.5V, 4.5V 19mOhm @ 6A, 4.5V Surface Mount 1V @ 1mA 80 nC @ 4.5 V 12 V -8V 7800 pF @ 6 V - - 8-TSST - 600mW (Ta) 150°C (TJ)
RK7002T116

RK7002T116

MOSFET N-CH 60V 115MA SST3

Rohm Semiconductor

7,102 -
RK7002T116

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 115mA (Ta) 5V, 10V 7.5Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA - 60 V ±20V 50 pF @ 25 V - - SST3 - 225mW (Ta) 150°C (TJ)
RP1E100XNTR

RP1E100XNTR

MOSFET N-CH 30V 10A MPT6

Rohm Semiconductor

6,765 -
RP1E100XNTR

数据表

- 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Ta) 4V, 10V 13mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 11 nC @ 5 V 30 V ±20V 800 pF @ 10 V - - MPT6 - 2W (Ta) 150°C (TJ)
RQ1E100XNTR

RQ1E100XNTR

MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

Rohm Semiconductor

3,903 -
RQ1E100XNTR

数据表

- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Ta) 4V, 10V 10.5mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 12.7 nC @ 5 V 30 V ±20V 1000 pF @ 10 V - - TSMT8 - 550mW (Ta) 150°C (TJ)
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