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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
BUK7620-100A,118

BUK7620-100A,118

MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK

NXP USA Inc.

21,494 -
BUK7620-100A,118

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN013-100ES,127

PSMN013-100ES,127

MOSFET N-CH 100V I2PAK

NXP USA Inc.

3,989 -
PSMN013-100ES,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK6510-75C,127

BUK6510-75C,127

MOSFET N-CH 75V 77A TO220AB

NXP USA Inc.

8,274 -
BUK6510-75C,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 77A (Tc) 4.5V, 10V 10.4mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2.8V @ 1mA 81 nC @ 10 V 75 V ±16V 5251 pF @ 25 V - - TO-220AB - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9510-55A,127

BUK9510-55A,127

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

6,471 -
BUK9510-55A,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2V @ 1mA 68 nC @ 5 V 55 V ±15V 4307 pF @ 25 V - - TO-220AB - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9606-55B,118

BUK9606-55B,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

7,865 -
BUK9606-55B,118

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK964R2-55B/C

BUK964R2-55B/C

N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL

NXP USA Inc.

2,824 -
BUK964R2-55B/C

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK663R5-55C,118

BUK663R5-55C,118

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

NXP USA Inc.

1,573 -
BUK663R5-55C,118

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN035-150P,127

PSMN035-150P,127

NEXPERIA PSMN035-150P - 50A, 150

NXP Semiconductors

9,257 -
PSMN035-150P,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 10V 35mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 79 nC @ 10 V 150 V ±20V 4720 pF @ 25 V - - TO-220AB - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7608-40B,118

BUK7608-40B,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

1,732 -
BUK7608-40B,118

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK9510-100B,127

BUK9510-100B,127

MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

5,087 -
BUK9510-100B,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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