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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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PH7030L,115

PH7030L,115

MOSFET N-CH 30V 68A LFPAK56

NXP USA Inc.

6,732 -
PH7030L,115

数据表

TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 68A (Tc) 4.5V, 10V 7.9mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA 12 nC @ 5 V 30 V ±20V 1362 pF @ 10 V - - LFPAK56, Power-SO8 - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
BUK9520-100B,127

BUK9520-100B,127

MOSFET N-CH 100V 63A TO220AB

NXP USA Inc.

7,949 -
BUK9520-100B,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PHK31NQ03LT,518

PHK31NQ03LT,518

NEXPERIA PHK31NQ03LT - 30.4A, 30

NXP Semiconductors

85,693 -
PHK31NQ03LT,518

数据表

TrenchMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30.4A (Tc) 4.5V, 10V 4.4mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2.15V @ 1mA 33 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 4235 pF @ 12 V - - 8-SO - 6.9W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
BUK6E3R4-40C,127

BUK6E3R4-40C,127

MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK

NXP USA Inc.

3,248 -
BUK6E3R4-40C,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK7509-55A,127

BUK7509-55A,127

NEXPERIA BUK7509-55A - 75A, 55V,

NXP Semiconductors

3,370 -
BUK7509-55A,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 9mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 62 nC @ 0 V 55 V ±20V 3271 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-220AB Automotive 211W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PHP20N06T,127

PHP20N06T,127

NEXPERIA PHP20N06T - 20.3A, 55V,

NXP Semiconductors

7,900 -
PHP20N06T,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20.3A (Tc) 10V 75mOhm @ 10A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 11 nC @ 10 V 55 V ±20V 483 pF @ 25 V - - TO-220AB - 62W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7514-55A,127

BUK7514-55A,127

MOSFET N-CH 55V 73A TO220AB

NXP USA Inc.

9,240 -
BUK7514-55A,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 73A (Tc) 10V 14mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA - 55 V ±20V 2464 pF @ 25 V - - TO-220AB - 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK653R7-30C,127

BUK653R7-30C,127

MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

NXP USA Inc.

5,180 -
BUK653R7-30C,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.9mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2.8V @ 1mA 78 nC @ 10 V 30 V ±16V 4707 pF @ 25 V - - TO-220AB - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK6507-55C,127

BUK6507-55C,127

MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB

NXP USA Inc.

6,642 -
BUK6507-55C,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2.8V @ 1mA 82 nC @ 10 V 55 V ±16V 5160 pF @ 25 V - - TO-220AB - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9520-100A,127

BUK9520-100A,127

MOSFET N-CH 100V 63A SOT78

NXP USA Inc.

2,996 -
BUK9520-100A,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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