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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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BUK7535-100A,127

BUK7535-100A,127

MOSFET N-CH 100V 41A TO220AB

NXP USA Inc.

5,000 -
BUK7535-100A,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK9514-55A,127

BUK9514-55A,127

PFET, 73A I(D), 55V, 0.015OHM, 1

NXP USA Inc.

3,357 -
BUK9514-55A,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 73A (Tc) 4.5V, 10V 13mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2V @ 1mA - 55 V ±10V 3307 pF @ 25 V - - TO-220AB - 149W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7511-55B,127

BUK7511-55B,127

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

2,208 -
BUK7511-55B,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 11mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 37 nC @ 10 V 55 V ±20V 2604 pF @ 25 V - - TO-220AB - 157W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK624R5-30C,118

BUK624R5-30C,118

PFET, 90A I(D), 30V, 0.0075OHM,

NXP USA Inc.

24,820 -
BUK624R5-30C,118

数据表

TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2.8V @ 1mA 78 nC @ 10 V 30 V ±16V 4707 pF @ 25 V AEC-Q101 - DPAK Automotive 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK6240-75C,118

BUK6240-75C,118

MOSFET N-CH 75V 22A DPAK

NXP USA Inc.

9,073 -
BUK6240-75C,118

数据表

TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 22A (Tc) 4.5V, 10V 46mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.8V @ 1mA 21.4 nC @ 10 V 75 V ±16V 1280 pF @ 25 V - - DPAK - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9509-40B,127

BUK9509-40B,127

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

5,000 -
BUK9509-40B,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK7513-75B,127

BUK7513-75B,127

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

4,636 -
BUK7513-75B,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK664R6-40C,118

BUK664R6-40C,118

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

NXP USA Inc.

3,800 -
BUK664R6-40C,118

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK9614-55A,118

BUK9614-55A,118

MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK

NXP USA Inc.

2,273 -
BUK9614-55A,118

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK7230-55A,118

BUK7230-55A,118

PFET, 38A I(D), 55V, 0.03OHM, 1-

NXP USA Inc.

6,270 -
BUK7230-55A,118

数据表

TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 38A (Tc) 10V 30mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA - 55 V ±20V 1152 pF @ 25 V AEC-Q101 - DPAK Automotive 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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