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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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BUK9245-55A,118

BUK9245-55A,118

TRANSISTOR >30MHZ

NXP USA Inc.

1,063 -
BUK9245-55A,118

数据表

TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28A (Tc) 4.5V, 10V 40mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA 14 nC @ 5 V 55 V ±15V 1006 pF @ 25 V AEC-Q101 - DPAK Automotive 70W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PHD71NQ03LT,118

PHD71NQ03LT,118

TRANSISTOR >30MHZ

NXP USA Inc.

64,782 -
PHD71NQ03LT,118

数据表

TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 5V, 10V 10mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 13.2 nC @ 5 V 30 V ±20V 1220 pF @ 25 V - - DPAK - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9507-30B,127

BUK9507-30B,127

MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

6,970 -
BUK9507-30B,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PMF63UN,115

PMF63UN,115

MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323-3

NXP USA Inc.

3,305 -
PMF63UN,115

数据表

- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.8A (Ta) 1.8V, 4.5V 74mOhm @ 1.8A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 3.3 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 185 pF @ 10 V - - SC-70 - 275mW (Ta), 1.785W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PHP45NQ11T,127

PHP45NQ11T,127

MOSFET N-CH 105V 47A TO220AB

NXP USA Inc.

10,000 -
PHP45NQ11T,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK968R3-40E,118

BUK968R3-40E,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

5,996 -
BUK968R3-40E,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 5V, 10V 6.4mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.1V @ 1mA 20.9 nC @ 5 V 40 V ±10V 2600 pF @ 25 V - - D2PAK - 96W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7507-30B,127

BUK7507-30B,127

PFET, 75A I(D), 30V, 0.007OHM, 1

NXP USA Inc.

4,611 -
BUK7507-30B,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 7mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 36 nC @ 10 V 30 V ±20V 2427 pF @ 25 V - - TO-220AB - 157W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7516-55A,127

BUK7516-55A,127

PFET, 65.7A I(D), 55V, 0.016OHM,

NXP USA Inc.

4,277 -
BUK7516-55A,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65.7A (Tc) 10V 16mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA - 55 V ±20V 2245 pF @ 25 V - - TO-220AB - 138W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9607-30B,118

BUK9607-30B,118

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

1,087 -
BUK9607-30B,118

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK663R5-30C,118

BUK663R5-30C,118

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

NXP USA Inc.

8,673 -
BUK663R5-30C,118

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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