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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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AUIRL7766M2TR

AUIRL7766M2TR

MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

International Rectifier

37,084 -
AUIRL7766M2TR

数据表

HEXFET® DirectFET™ Isometric M4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Ta) 4.5V, 10V 10mOhm @ 31A, 10V Surface Mount 2.5V @ 150µA 66 nC @ 4.5 V 100 V ±16V 5305 pF @ 25 V - - DirectFET™ Isometric M4 - 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRL3705ZSTRL

AUIRL3705ZSTRL

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

International Rectifier

13,304 -
AUIRL3705ZSTRL

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) - 8mOhm @ 52A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 60 nC @ 5 V 55 V - 2880 pF @ 25 V - - D2PAK - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRF2805STRL

AUIRF2805STRL

MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

International Rectifier

24,000 -
AUIRF2805STRL

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 135A (Tc) - 4.7mOhm @ 104A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V 55 V - 5110 pF @ 25 V - - D2PAK - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFSL7430PBF

IRFSL7430PBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

International Rectifier

4,360 -
IRFSL7430PBF

数据表

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 195A (Tc) 6V, 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V Surface Mount 3.9V @ 250µA 460 nC @ 10 V 40 V ±20V 14240 pF @ 25 V - - D2PAK - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRF3205

AUIRF3205

AUIRF3205 - 55V-60V N-CHANNEL AU

International Rectifier

715 -
AUIRF3205

数据表

HEXFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 8mOhm @ 62A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 146 nC @ 10 V 55 V ±20V 3247 pF @ 25 V - - TO-220AB - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRF1404ZSTRL

AUIRF1404ZSTRL

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

International Rectifier

1,282 -
AUIRF1404ZSTRL

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 160A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 75A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V 40 V ±20V 4340 pF @ 25 V - - TO-263AB (D2PAK) - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRFP1405-203

AUIRFP1405-203

AUIRFP1405 - 55V-60V N-CHANNEL A

International Rectifier

150 -
AUIRFP1405-203

数据表

- - Bulk Obsolete - - 160A (Tc) - - - - - - - - - - - - - -
AUIRL1404ZSTRL

AUIRL1404ZSTRL

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

International Rectifier

1,270 -
AUIRL1404ZSTRL

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 160A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V Surface Mount 2.7V @ 250µA 110 nC @ 5 V 40 V ±16V 5080 pF @ 25 V - - D2PAK - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRF2903Z

AUIRF2903Z

MOSFET N-CH 30V 160A TO220AB

International Rectifier

2,150 -
AUIRF2903Z

数据表

HEXFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 160A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V 30 V ±20V 6320 pF @ 25 V - - TO-220AB - 290W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRF3805L

AUIRF3805L

MOSFET N-CH 55V 160A TO262

International Rectifier

2,029 -
AUIRF3805L

数据表

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 160A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 290 nC @ 10 V 55 V ±20V 7960 pF @ 25 V - - TO-262 - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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