富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
AUIRLS3034-7TRL

AUIRLS3034-7TRL

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

International Rectifier

2,280 -
AUIRLS3034-7TRL

数据表

HEXFET® TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 240A (Tc) 4.5V, 10V 1.4mOhm @ 200A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 180 nC @ 4.5 V 40 V ±20V 10990 pF @ 40 V - - D2PAK (7-Lead) - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRF1404S

AUIRF1404S

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

International Rectifier

22,531 -
AUIRF1404S

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 4mOhm @ 95A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V 40 V ±20V 7360 pF @ 25 V - - D2PAK - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRFP4110

AUIRFP4110

MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC

International Rectifier

14,894 -
AUIRFP4110

数据表

HEXFET® TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V 100 V ±20V 9620 pF @ 50 V - - TO-247AC - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRF7799L2TR

AUIRF7799L2TR

MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFT

International Rectifier

5,733 -
AUIRF7799L2TR

数据表

HEXFET® DirectFET™ Isometric L8 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 375A (Tc) 10V 38mOhm @ 21A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 165 nC @ 10 V 250 V ±30V 6714 pF @ 25 V - - DirectFET™ Isometric L8 - 4.3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRL60SL216

IRL60SL216

IRL60SL216 - 12V-300V N-CHANNEL

International Rectifier

800 -
IRL60SL216

数据表

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 195A (Tc) 4.5V, 10V 1.95mOhm @ 100A, 10V Through Hole 2.4V @ 250µA 255 nC @ 4.5 V 60 V ±20V 15330 pF @ 25 V - - TO-262-3 - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRFSL8407

AUIRFSL8407

MOSFET N-CH 40V 195A TO262

International Rectifier

1,288 -
AUIRFSL8407

数据表

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 195A (Tc) 10V 2mOhm @ 100A, 10V Through Hole 4V @ 150µA 225 nC @ 10 V 40 V ±20V 7330 pF @ 25 V - - TO-262 - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRF1404

AUIRF1404

AUIRF1404 - 20V-40V N-CHANNEL AU

International Rectifier

24,709 -
AUIRF1404

数据表

HEXFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 160A (Tc) 10V 4mOhm @ 121A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 196 nC @ 10 V 40 V ±20V 5669 pF @ 25 V - - TO-220AB - 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFU1018EPBF

IRFU1018EPBF

MOSFET N-CH 60V 56A IPAK

International Rectifier

763 -
IRFU1018EPBF

数据表

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 56A (Tc) - 8.4mOhm @ 47A, 10V Through Hole 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V 60 V ±20V 2290 pF @ 50 V - - IPAK (TO-251AA) - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF123

IRF123

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

International Rectifier

738 -
IRF123

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Tc) 10V 400mOhm @ 4A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V 60 V ±20V 600 pF @ 25 V - - TO-3 - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF323

IRF323

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

International Rectifier

901 -
IRF323

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.8A - - Through Hole - - 350 V - - - - TO-204AA (TO-3) - 50W -
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户