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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRF341

IRF341

IRF341 - 10A, 350V, N-CHANNEL, P

International Rectifier

2,645 -
IRF341

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AUIRF1405ZL

AUIRF1405ZL

MOSFET N-CH 55V 150A TO262

International Rectifier

1,832 -
AUIRF1405ZL

数据表

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150A (Tc) 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V 55 V ±20V 4780 pF @ 25 V - - TO-262 - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRF7675M2TR

AUIRF7675M2TR

AUIRF7675M2 - 120V-300V N-CHANNE

International Rectifier

2,516 -
AUIRF7675M2TR

数据表

HEXFET® DirectFET™ Isometric M2 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.4A (Ta), 18A (Tc) 10V 56mOhm @ 11A, 10V Surface Mount 5V @ 100µA 32 nC @ 10 V 150 V ±20V 1360 pF @ 25 V - - DirectFET™ Isometric M2 - 2.7W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRL1404ZS

AUIRL1404ZS

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

International Rectifier

9,408 -
AUIRL1404ZS

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 160A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V Surface Mount 2.7V @ 250µA 110 nC @ 5 V 40 V ±16V 5080 pF @ 25 V - - D2PAK - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRL1404Z

AUIRL1404Z

MOSFET N-CH 40V 160A TO220

International Rectifier

10,859 -
AUIRL1404Z

数据表

HEXFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 160A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V Through Hole 2.7V @ 250µA 110 nC @ 5 V 40 V ±16V 5080 pF @ 25 V - - TO-220 - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFSL7537PBF

IRFSL7537PBF

MOSFET N-CH 60V 173A TO262

International Rectifier

800 -
IRFSL7537PBF

数据表

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 173A (Tc) 6V, 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V Through Hole 3.7V @ 150µA 210 nC @ 10 V 60 V ±20V 7020 pF @ 25 V - - TO-262 - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF3703PBF

IRF3703PBF

IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW

International Rectifier

15,791 -
IRF3703PBF

数据表

HEXFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 210A (Tc) 7V, 10V 2.8mOhm @ 76A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 209 nC @ 10 V 30 V ±20V 8250 pF @ 25 V - - TO-220AB - 3.8W (Ta), 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF2907ZPBF

IRF2907ZPBF

IRF2907 - 12V-300V N-CHANNEL POW

International Rectifier

18,857 -
IRF2907ZPBF

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRFSL7730PBF

IRFSL7730PBF

IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P

International Rectifier

899 -
IRFSL7730PBF

数据表

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 195A (Tc) 6V, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V Through Hole 3.7V @ 250µA 407 nC @ 10 V 75 V ±20V 13660 pF @ 25 V - - TO-262 - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRL7736M2TR

AUIRL7736M2TR

MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET

International Rectifier

13,183 -
AUIRL7736M2TR

数据表

HEXFET® DirectFET™ Isometric M4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 179A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 67A, 10V Surface Mount 2.5V @ 150µA 78 nC @ 4.5 V 40 V ±16V 5055 pF @ 25 V - - DirectFET™ Isometric M4 - 2.5W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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