富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
AUIRFS8407TRR

AUIRFS8407TRR

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

International Rectifier

395 -
AUIRFS8407TRR

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 195A (Tc) - 1.8mOhm @ 100A, 10V Surface Mount 4V @ 150µA 225 nC @ 10 V 40 V ±20V 7330 pF @ 25 V AEC-Q101 - D2PAK Automotive 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFH4210DTRPBF

IRFH4210DTRPBF

HEXFET POWER MOSFET

International Rectifier

937 -
IRFH4210DTRPBF

数据表

HEXFET® 8-PowerTDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 44A (Ta) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V Surface Mount 2.1V @ 100µA 77 nC @ 10 V 25 V ±20V 4812 pF @ 13 V - - PQFN (5x6) - 3.5W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRL8114PBF

IRL8114PBF

MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB

International Rectifier

2,000 -
IRL8114PBF

数据表

HEXFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) - 4.5mOhm @ 40A, 10V Through Hole 2.25V @ 250µA 29 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 2660 pF @ 15 V - - TO-220AB - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRFN7107TR

AUIRFN7107TR

AUTOMOTIVE POWER MOSFET

International Rectifier

890 -
AUIRFN7107TR

数据表

HEXFET® 8-PowerTDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Ta), 75A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 45A, 10V Surface Mount 4V @ 100µA 77 nC @ 10 V 75 V ±20V 3001 pF @ 25 V - - PQFN (5x6) - 4.4W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF431

IRF431

MOSFET N-CH 450V 4.5A TO3

International Rectifier

1,201 -
IRF431

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.5A - 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V 450 V ±20V 800 pF @ 25 V - - TO-3 - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF6616TRPBF

IRF6616TRPBF

IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0

International Rectifier

774 -
IRF6616TRPBF

数据表

HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19A (Ta), 106A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 19A, 10V Surface Mount 2.25V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V 40 V ±20V 3765 pF @ 20 V - - DIRECTFET™ MX - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
AUIRF1010EZ

AUIRF1010EZ

AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL

International Rectifier

3,340 -
AUIRF1010EZ

数据表

HEXFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) - 8.5mOhm @ 51A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V 60 V - 2810 pF @ 25 V - - TO-220AB - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRF1018ES

AUIRF1018ES

AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL

International Rectifier

12,661 -
AUIRF1018ES

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 79A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V Surface Mount 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V 60 V ±20V 2290 pF @ 50 V - - D2PAK - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRF3205ZS

AUIRF3205ZS

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

International Rectifier

1,137 -
AUIRF3205ZS

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 66A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V 55 V ±20V 3450 pF @ 25 V - - D2PAK - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRF3007

AUIRF3007

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

International Rectifier

9,800 -
AUIRF3007

数据表

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V 75 V ±20V 3270 pF @ 25 V - - TO-220AB - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
共 244 条记录«上一页1... 4567891011...25下一页»
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户