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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
IMZC120R078M2HXKSA1

IMZC120R078M2HXKSA1

IMZC120R078M2HXKSA1

Infineon Technologies

90 -
IMZC120R078M2HXKSA1

数据表

CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 28A (Tc) 15V, 18V 78mOhm @ 9A, 18V Through Hole 5.1V @ 2.8mA 21 nC @ 18 V 1200 V +23V, -7V 700 pF @ 800 V - - PG-TO247-4-17 - 143W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IPQC60T040S7AXTMA1

IPQC60T040S7AXTMA1

AUTOMOTIVE_COOLMOS

Infineon Technologies

75 -
IPQC60T040S7AXTMA1

数据表

CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Box Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 54A (Tc) 12V 40mOhm @ 13A, 12V Surface Mount 4.5V @ 780µA 83 nC @ 12 V 600 V ±20V 3128 pF @ 300 V AEC-Q101 - PG-HDSOP-22 Automotive 272W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
AIMZH120R080M1TXKSA1

AIMZH120R080M1TXKSA1

SIC_DISCRETE

Infineon Technologies

17 -
AIMZH120R080M1TXKSA1

数据表

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 31A (Tc) 18V, 20V 100mOhm @ 10A, 20V Through Hole 5.1V @ 3.3mA 24 nC @ 20 V 1200 V +23V, -5V 671 pF @ 800 V AEC-Q101 - PG-TO247-4-11 Automotive 169W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IPDQ60T022S7XTMA1

IPDQ60T022S7XTMA1

HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

100 -
IPDQ60T022S7XTMA1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPP60R016CM8XKSA1

IPP60R016CM8XKSA1

IPP60R016CM8XKSA1

Infineon Technologies

23 -
IPP60R016CM8XKSA1

数据表

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 135A (Tc) 10V 16mOhm @ 62.5A, 10V Through Hole 4.7V @ 1.48mA 171 nC @ 10 V 600 V ±20V 7545 pF @ 400 V - - PG-TO220-3-1 - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IPQC60T022S7AXTMA1

IPQC60T022S7AXTMA1

AUTOMOTIVE_COOLMOS

Infineon Technologies

100 -
IPQC60T022S7AXTMA1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPDQ60T022S7AXTMA1

IPDQ60T022S7AXTMA1

AUTOMOTIVE_COOLMOS

Infineon Technologies

100 -
IPDQ60T022S7AXTMA1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AIMCQ120R040M1TXTMA1

AIMCQ120R040M1TXTMA1

SIC_DISCRETE

Infineon Technologies

90 -
AIMCQ120R040M1TXTMA1

数据表

CoolSiC™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 61A (Tc) 18V, 20V 50mOhm @ 20A, 20V Surface Mount 5.1V @ 6.4mA 43 nC @ 20 V 1200 V +25V, -10V 1264 pF @ 800 V AEC-Q101 - PG-HDSOP-22 Automotive 341W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IPQC60T017S7XTMA1

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HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

100 -
IPQC60T017S7XTMA1

数据表

CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 113A (Tc) 12V 17mOhm @ 29A, 12V Surface Mount 4.5V @ 1.88mA 196 nC @ 12 V 600 V ±20V 7370 pF @ 300 V - - PG-HDSOP-22 - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IPDQ60T017S7XTMA1

IPDQ60T017S7XTMA1

HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

68 -
IPDQ60T017S7XTMA1

数据表

CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 113A (Tc) 12V 17mOhm @ 29A, 12V Surface Mount 4.5V @ 1.88mA 196 nC @ 12 V 600 V ±20V 7370 pF @ 300 V - - PG-HDSOP-22-1 - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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