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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
BSS123 E6433

BSS123 E6433

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Infineon Technologies

3,893 -
BSS123 E6433

数据表

SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 170mA (Ta) 4.5V, 10V 6Ohm @ 170mA, 10V Surface Mount 1.8V @ 50µA 2.67 nC @ 10 V 100 V ±20V 69 pF @ 25 V - - PG-SOT23 - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
BSS126 E6906

BSS126 E6906

MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3

Infineon Technologies

9,617 -
BSS126 E6906

数据表

SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 21mA (Ta) 0V, 10V 500Ohm @ 16mA, 10V Surface Mount 2.7V @ 8µA 2.1 nC @ 5 V 600 V ±20V 28 pF @ 25 V - - PG-SOT23 - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
BSS138N E6433

BSS138N E6433

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3

Infineon Technologies

2,407 -
BSS138N E6433

数据表

SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 230mA (Ta) 4.5V, 10V 3.5Ohm @ 230mA, 10V Surface Mount 1.4V @ 250µA 1.4 nC @ 10 V 60 V ±20V 41 pF @ 25 V - - PG-SOT23 - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
BSS138N E6908

BSS138N E6908

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3

Infineon Technologies

5,183 -
BSS138N E6908

数据表

SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 230mA (Ta) 4.5V, 10V 3.5Ohm @ 230mA, 10V Surface Mount 1.4V @ 250µA 1.4 nC @ 10 V 60 V ±20V 41 pF @ 25 V - - PG-SOT23 - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
BSS138N E7854

BSS138N E7854

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3

Infineon Technologies

8,694 -
BSS138N E7854

数据表

SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 230mA (Ta) 4.5V, 10V 3.5Ohm @ 230mA, 10V Surface Mount 1.4V @ 250µA 1.4 nC @ 10 V 60 V ±20V 41 pF @ 25 V - - PG-SOT23 - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
BSS139 E6906

BSS139 E6906

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3

Infineon Technologies

9,925 -
BSS139 E6906

数据表

SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 100mA (Ta) 0V, 10V 14Ohm @ 0.1mA, 10V Surface Mount 1V @ 56µA 3.5 nC @ 5 V 250 V ±20V 76 pF @ 25 V - - PG-SOT23 - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
BSS159N E6327

BSS159N E6327

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3

Infineon Technologies

5,540 -
BSS159N E6327

数据表

SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 230mA (Ta) 0V, 10V 3.5Ohm @ 160mA, 10V Surface Mount 2.4V @ 26µA 2.9 nC @ 5 V 60 V ±20V 44 pF @ 25 V - - PG-SOT23 - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
BSS159N E6906

BSS159N E6906

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3

Infineon Technologies

3,926 -
BSS159N E6906

数据表

SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 230mA (Ta) 0V, 10V 3.5Ohm @ 160mA, 10V Surface Mount 2.4V @ 26µA 2.9 nC @ 5 V 60 V ±20V 44 pF @ 25 V - - PG-SOT23 - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
BSS169 E6906

BSS169 E6906

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Infineon Technologies

9,011 -
BSS169 E6906

数据表

SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 170mA (Ta) 0V, 10V 6Ohm @ 170mA, 10V Surface Mount 1.8V @ 50µA 2.8 nC @ 7 V 100 V ±20V 68 pF @ 25 V - - PG-SOT23 - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
BSS192PL6327HTSA1

BSS192PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89

Infineon Technologies

7,275 -
BSS192PL6327HTSA1

数据表

SIPMOS® TO-243AA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 190mA (Ta) 2.8V, 10V 12Ohm @ 190mA, 10V Surface Mount 2V @ 130µA 6.1 nC @ 10 V 250 V ±20V 104 pF @ 25 V - - PG-SOT89 - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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