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Microchip Technology TP5335K1-G-VAO
- 零件号:
- TP5335K1-G-VAO
- 制造商:
- Microchip Technology
- 封装:
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 数据表:
-
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- 描述:
- MOSFET P-CH 350V 85MA SOT23-3
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TP5335K1-G-VAO 规格
- 规格
- 常见问题
- 属性
- 属性值
- 制造商
- Microchip Technology
- 系列:
- -
- 封装/外壳:
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 包装:
- Tape & Reel (TR)
- 产品状态:
- Active
- FET 类型:
- P-Channel
- 技术:
- MOSFET (Metal Oxide)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
- 85mA (Tj)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）:
- 4.5V, 10V
- 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs:
- 30Ohm @ 200mA, 10V
- 安装类型:
- Surface Mount
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id:
- 2.4V @ 1mA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs:
- -
- 漏极到源极电压 (Vdss):
- 350 V
- 栅极电压 (Vgs)（最大值）:
- ±20V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds:
- 110 pF @ 25 V
- 认证:
- -
- FET 特性:
- -
- 供应商设备封装:
- SOT-23-3
- 等级:
- -
- 功耗（最大值）:
- 360mW (Ta)
- 工作温度:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
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| 零件号 | TP5335K1-G-VAO |
| 制造商 | Microchip Technology |
| 系列 | - |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 产品状态 | Active |
| FET 类型 | P-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 85mA (Tj) |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 30Ohm @ 200mA, 10V |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 2.4V @ 1mA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | - |
| 漏极到源极电压 (Vdss) | 350 V |
| 栅极电压 (Vgs)（最大值） | ±20V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 110 pF @ 25 V |
| 认证 | - |
| FET 特性 | - |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 等级 | - |
| 功耗（最大值） | 360mW (Ta) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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