属性

属性值

制造商

onsemi

系列:

-

封装/外壳:

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

包装:

Tape & Reel (TR)

产品状态:

Obsolete

FET 类型:

N-Channel

技术:

MOSFET (Metal Oxide)

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:

500mA (Ta)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）:

10V

导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs:

5Ohm @ 200mA, 10V

安装类型:

Surface Mount

栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id:

3V @ 1mA

栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs:

-

漏极到源极电压 (Vdss):

60 V

栅极电压 (Vgs)（最大值）:

±20V

输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds:

60 pF @ 10 V

认证:

-

FET 特性:

-

供应商设备封装:

SOT-23-3 (TO-236)

等级:

-

功耗（最大值）:

225mW (Ta)

工作温度:

-55°C ~ 150°C (TJ)