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STMicroelectronics STL64N4F7AG
- 零件号:
- STL64N4F7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
- 封装:
- 8-PowerVDFN
- 数据表:
-
STL64N4F7AG.pdf
- 描述:
- DISCRETE
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STL64N4F7AG 规格
- 规格
- 常见问题
- 属性
- 属性值
- 制造商
- STMicroelectronics
- 系列:
- STripFET™ F7
- 封装/外壳:
- 8-PowerVDFN
- 包装:
- Bulk
- 产品状态:
- Active
- FET 类型:
- N-Channel
- 技术:
- MOSFET (Metal Oxide)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
- 64A (Tc)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）:
- 10V
- 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs:
- 8.5mOhm @ 32A, 10V
- 安装类型:
- Surface Mount, Wettable Flank
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id:
- 4V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs:
- 9.8 nC @ 10 V
- 漏极到源极电压 (Vdss):
- 40 V
- 栅极电压 (Vgs)（最大值）:
- ±20V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds:
- 637 pF @ 25 V
- 认证:
- AEC-Q101
- FET 特性:
- -
- 供应商设备封装:
- PowerFlat™ (5x6)
- 等级:
- Automotive
- 功耗（最大值）:
- 65W (Tc)
- 工作温度:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
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| 图片 |  |
| 零件号 | STL64N4F7AG |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 系列 | STripFET™ F7 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 包装 | Bulk |
| 产品状态 | Active |
| FET 类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 64A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 10V |
| 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 32A, 10V |
| 安装类型 | Surface Mount, Wettable Flank |
| 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 9.8 nC @ 10 V |
| 漏极到源极电压 (Vdss) | 40 V |
| 栅极电压 (Vgs)（最大值） | ±20V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 637 pF @ 25 V |
| 认证 | AEC-Q101 |
| FET 特性 | - |
| 供应商设备封装 | PowerFlat™ (5x6) |
| 等级 | Automotive |
| 功耗（最大值） | 65W (Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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