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Infineon Technologies IRLML6401TRPBF
- 零件号:
- IRLML6401TRPBF
- 封装:
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 数据表:
-
IRLML6401TRPBF.pdf
- 描述:
- MOSFET
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产品详情
IRLML6401TRPBF - INFINEON P沟道MOSFET(-4.2A / -20V / SOT-23)
IRLML6401TRPBF 是英飞凌科技(Infineon Technologies)推出的P沟道MOSFET场效应管, 采用 -4.2A 连续漏极电流\-20V 漏源电压设计,标配 SOT-23 超小型封装, 内置低导通阻抗MOSFET,专为高效开关和负载切换应用而优化.
产品介绍
IRLML6401TRPBF 是Infineon推出的P沟道增强型MOSFET,采用Submicron沟道工艺制造,漏源电压-20V,连续漏极电流达-4.2A.在VGS = -4.5V条件下,典型导通阻抗RDS(ON)仅为46mΩ,可大幅降低导通损耗,提升电源转换效率.
P沟道MOSFET相比N沟道器件最大的优势在于其驱动方式：驱动电压施加于源极与栅极之间,当负载端接高电平电源时,仅需将栅极拉低即可导通,无需高端N沟道MOSFET所需的升压驱动电路.这使得P沟道MOSFET成为负载开关\单节锂电池保护电路和高端驱动应用的理想选择.
SOT-23封装(SC-59同义)仅3引脚,PCB参考面积极小,是手持设备\可穿戴产品和紧凑型电源模块的理想器件选型.
专家技术洞察
为什么P沟道MOSFET是负载开关和高端驱动的首选?
- 简化驱动电路：N沟道高端MOSFET(接负载到地)在导通时,栅极电压需要比漏极(接电源)高出5~10V才能完全导通,需要自举电路或专用升压驱动IC.P沟道MOSFET的栅极直接接地即可导通,驱动电路仅需一个GPIO口和一颗限流电阻(典型100Ω),BOM成本和布板复杂度显著降低
- 低电压驱动兼容：IRLML6401TRPBF的栅极阈值电压VGS(th)典型值为-0.7V,完全兼容3.3V和5V逻辑电平的直接驱动,单片机GPIO口无需电平转换即可直接控制,适用于单节锂电池(3.7V~4.2V)系统的无缝对接
- 体二极管正向压降低：P沟道MOSFET的体二极管在关断瞬间提供电感续流,相比肖特基二极管方案,体二极管正向压降更低(通常0.6~0.8V),可减少续流损耗,特别适合低边开关和高频DC-DC转换器应用
核心优势
栅极拉低即导通,无需升压驱动,驱动电路仅需GPIO+限流电阻.
VGS = -4.5V时RDS(ON)典型值46mΩ,最大限度降低导通损耗和热损耗.
3mm×2.5mm参考面积,高度适配手持设备和紧凑型电源模块PCB布局.
-20V耐压,兼容3.3V/5V逻辑电平,单节锂电池系统直接使用无需电平转换.
详细规格
| 参数 | 数值 | 条件 / 备注 |
|---|---|---|
| 器件类型 | P沟道增强型MOSFET | Submicron工艺 |
| 制造商 | Infineon Technologies | 英飞凌科技 |
| 漏源电压 VDS | -20V | 最大耐压 |
| 栅源电压 VGS | ±8V | 栅极驱动电压范围 |
| 连续漏极电流 ID | -4.2A | VGS = -4.5V, Ta = 25°C |
| 脉冲电流 ID(pulse) | -12A | 脉宽受限 |
| RDS(ON) | 46mΩ | VGS = -4.5V, ID = -3.1A 典型值 |
| RDS(ON) | 58mΩ | VGS = -2.5V, ID = -2.5A 典型值 |
| VGS(th) 栅极阈值 | -0.7V | VDS = VGS, ID = -250μA |
| 封装 | SOT-23 (SC-59) | 3引脚,高度1.1mm |
| 安装方式 | 表面贴装(SMT) | 回流焊兼容 |
| 工作温度 | -55°C ~ +150°C | 结温范围 |
注：详细电气参数\热阻特性及开关性能请参阅Infineon官方数据手册.如有变更,恕不另行通知.设计工程师应在最终设计前验证所有参数.
封装信息
IRLML6401TRPBF 采用 SOT-23封装(Small Outline Transistor-23,亦称SC-59或TO-236AB),为3引脚超小型表面贴装封装.典型尺寸 2.9mm × 1.3mm × 1.1mm(长×宽×高),引脚间距0.95mm,与标准SMT贴片工艺完全兼容,回流焊后可靠性高.
SOT-23封装的3个引脚分别为：源极(Source)\漏极(Drain)和栅极(Gate),对应电路图位置清晰,易于PCB布局.该封装底部无散热焊盘,热阻相对较大,但在-4.2A连续电流下,器件仍可正常工作于自然对流冷却条件下(需合理PCB铜面积辅助散热).
引脚定义(SOT-23)
IRLML6401TRPBF的SOT-23封装共3个功能引脚,引脚定义如下(俯视图,从左至右)：
- 引脚1 - 源极(Source)：负载电流输出引脚,在电路中通常接负载低端.P沟道MOSFET导通时,电流从源极流向漏极.
- 引脚2 - 栅极(Gate)：控制引脚,施加负电压(相对于源极)使器件导通.VGS < -0.7V时开始导通,VGS = -4.5V时可达到最低RDS(ON).栅极与源极之间需并联10kΩ~100kΩ下拉电阻,防止浮空导致意外导通.
- 引脚3 - 漏极(Drain)：负载电流输入引脚,接电源正极或负载高端.关断状态下承受全部漏源电压.
替代型号
以下替代型号可供参考.如需选用,使用前请验证VDS\ID\RDS(ON)和封装兼容性.
| 型号 | 品牌 | 类型 | 封装 | 核心特点 |
|---|---|---|---|---|
| IRLML0100TRPBF | Infineon | P-MOS / -20V / -4.1A | SOT-23 | RDS(ON)=48mΩ,同系列小电流版 |
| IRLML6402TRPBF | Infineon | P-MOS / -20V / -3.6A | SOT-23 | RDS(ON)=65mΩ,兼容引脚,更低成本 |
| IRLML2803TRPBF | Infineon | P-MOS / -30V / -2.9A | SOT-23 | -30V更高耐压,低频应用 |
| IRLML2402TRPBF | Infineon | P-MOS / -20V / -2.4A | SOT-23 | RDS(ON)=72mΩ,低导通损耗 |
| IRLML2502GTRPBF | Infineon | P-MOS / -20V / -3.6A | SOT-23 | G版本通过AEC-Q101认证,车规 |
| IRLML6401TR | Infineon | P-MOS / -20V / -4.2A | SOT-23 | 无PBF环保标记,功能完全相同 |
| IRLML6401 | UMW | P-MOS / -20V / -3.5A | SOT-23 | UMW国产替代,价格较低 |
选型提示：选型时重点关注：VDS耐压需高于实际最大电源电压20%以上;ID连续电流需满足最大负载电流的1.5~2倍;RDS(ON)直接影响导通损耗,高频应用应选更低RDS(ON)型号;有车规需求请选G版本(通过AEC-Q101认证).
制造商信息
英飞凌科技 Infineon Technologies AG(FWB: IFX),总部位于德国慕尼黑,是全球领先的半导体公司之一,专注于汽车\工业功率控制和安全芯片领域.Infineon的MOSFET产品线覆盖从20V到600V的完整电压范围,其OptiMOS™和StrongIRFET™系列在全球功率半导体市场占据领先地位.
IRLML系列属于Infineon面向移动和消费市场的精选小信号MOSFET家族,以极具竞争力的价格提供军工级品质的器件性能.该系列采用标准SOT-23封装和相同的引脚定义,方便工程师在不同电流档位间切换而不改变PCB布局,体现了Infineon在功率半导体领域深厚的技术积累和平台化设计理念.
应用领域
常见问题
IRLML6401TRPBF 主要用于什么场景?
IRLML6401TRPBF 可根据制造商数据手册中的功能和限制用于相应电子设计.
IRLML6401TRPBF 可以直接替代其他型号吗?
只有在确认封装\引脚\电气参数以及软件或电路兼容性后才能替代.
最终参数应该在哪里确认?
请以制造商官方数据手册和最新订购资料为最终依据.
免责声明
信息准确性：本页所列技术规格基于Infineon官方数据手册.我方努力确保信息准确完整,但因产品改进,规格如有变更,恕不另行通知.设计工程师应在最终设计前验证所有参数.
产品正品保证：我方保证所售产品均为原厂正品,提供完整的物料可追溯性.
技术支持：购前购后均提供免费技术咨询服务.
应用说明：本产品页面仅供参考.是否适合特定应用,应由设计工程师根据实际系统需求自行验证.
IRLML6401TRPBF 规格
- 规格
- 常见问题
- 属性
- 属性值
- 制造商
- Infineon Technologies
- 系列:
- HEXFET®
- 封装/外壳:
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 包装:
- Bulk
- 产品状态:
- Obsolete
- FET 类型:
- P-Channel
- 技术:
- MOSFET (Metal Oxide)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
- 4.3A (Ta)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）:
- 1.8V, 4.5V
- 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs:
- 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
- 安装类型:
- Surface Mount
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id:
- 950mV @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs:
- 15 nC @ 5 V
- 漏极到源极电压 (Vdss):
- 12 V
- 栅极电压 (Vgs)（最大值）:
- ±8V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds:
- 830 pF @ 10 V
- 认证:
- -
- FET 特性:
- -
- 供应商设备封装:
- PG-SOT23-3-901
- 等级:
- -
- 功耗（最大值）:
- 1.3W (Ta)
- 工作温度:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
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(3)产品型号未使用且仅为原始未开封包装.
产品退货有两个流程：
(1)90天内告知我们
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7. 如何联系我们获取技术支持,比如IRLML6401TRPBF引脚图\IRLML6401TRPBF数据手册?
如果您需要任何售后服务,请随时与我们联系.
- 对比
- 相关
| 图片 |  |
| 零件号 | IRLML6401TRPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | HEXFET® |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 包装 | Bulk |
| 产品状态 | Obsolete |
| FET 类型 | P-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 1.8V, 4.5V |
| 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 50mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 950mV @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 15 nC @ 5 V |
| 漏极到源极电压 (Vdss) | 12 V |
| 栅极电压 (Vgs)（最大值） | ±8V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 830 pF @ 10 V |
| 认证 | - |
| FET 特性 | - |
| 供应商设备封装 | PG-SOT23-3-901 |
| 等级 | - |
| 功耗（最大值） | 1.3W (Ta) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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