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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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BYV40W-600PQ

BYV40W-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 40A TO247-2

WeEn Semiconductors

6,342 -
BYV40W-600PQ

数据表

- TO-247-2 Bulk Active Standard 600 V 1.6 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 79 ns 10 µA @ 600 V - 40A - - Through Hole TO-247-2 175°C (Max)
BYR16W-1200Q

BYR16W-1200Q

DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO247-2

WeEn Semiconductors

8,338 -
BYR16W-1200Q

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 2.7 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 105 ns 100 µA @ 1200 V - 16A - - Through Hole TO-247-2 175°C (Max)
MURS160J

MURS160J

DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

WeEn Semiconductors

2,277 -
MURS160J

数据表

- DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 5 µA @ 600 V - 1A - - Surface Mount SMAE 175°C
WNSC6D10650D6J

WNSC6D10650D6J

WNSC6D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T

WeEn Semiconductors

8,362 -
WNSC6D10650D6J

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz 10A - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
MURS160BJ

MURS160BJ

DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

WeEn Semiconductors

36,232 -
MURS160BJ

数据表

- DO-214AA, SMB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 5 µA @ 600 V - 1A - - Surface Mount SMB 175°C (Max)
WNSC2D10650XQ

WNSC2D10650XQ

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F

WeEn Semiconductors

6,752 -
WNSC2D10650XQ

数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 310pF @ 1V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-220F 175°C
WNSC6D106506Q

WNSC6D106506Q

WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MA

WeEn Semiconductors

8,531 -
WNSC6D106506Q

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.4 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-220AC 175°C
WNSC6D10650B6J

WNSC6D10650B6J

WNSC6D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T

WeEn Semiconductors

6,070 -
WNSC6D10650B6J

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz 10A - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
WNSC6D10650X6Q

WNSC6D10650X6Q

WNSC6D10650X/TO220F-2L/STANDARD

WeEn Semiconductors

2,760 -
WNSC6D10650X6Q

数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-220F -55°C ~ 175°C
BYC30W-600PT2-AQ

BYC30W-600PT2-AQ

BYC30W-600PT2-A/TO247-2L/STANDAR

WeEn Semiconductors

4,460 -
BYC30W-600PT2-AQ

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 2.75 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 54 ns 10 µA @ 600 V - 30A - - Through Hole TO-247-2 175°C
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