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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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WNSC2D0512006Q

WNSC2D0512006Q

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC

WeEn Semiconductors

5,992 -
WNSC2D0512006Q

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.6 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 1200 V 260pF @ 1V, 1MHz 5A - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
WNSC2D06650XQ

WNSC2D06650XQ

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F

WeEn Semiconductors

7,880 -
WNSC2D06650XQ

数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 198pF @ 1V, 1MHz 6A - - Through Hole TO-220F 175°C
WNSC2D06650Q

WNSC2D06650Q

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC

WeEn Semiconductors

7,376 -
WNSC2D06650Q

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 198pF @ 1V, 1MHz 6A - - Through Hole TO-220AC 175°C
BYV30-600PQ

BYV30-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

WeEn Semiconductors

6,376 -
BYV30-600PQ

数据表

- TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 1.55 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 10 µA @ 600 V - 30A - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
BYV30X-600PQ

BYV30X-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

WeEn Semiconductors

9,906 -
BYV30X-600PQ

数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 1.55 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 10 µA @ 600 V - 30A - - Through Hole TO-220FP 175°C (Max)
BYC30B-600PJ

BYC30B-600PJ

DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK

WeEn Semiconductors

7,679 -
BYC30B-600PJ

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 2.75 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 600 V - 30A - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
BYV30W-600PT2Q

BYV30W-600PT2Q

BYV30W-600PT2/TO247-2L/STANDARD

WeEn Semiconductors

4,238 -
BYV30W-600PT2Q

数据表

- TO-247-2 Bulk Active Standard 600 V 1.55 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 10 µA @ 600 V - 30A - - Through Hole TO-247-2 175°C
WB60FV60ALZ

WB60FV60ALZ

WB60FV60AL/NAU000/NO MARK*CHIPS

WeEn Semiconductors

8,297 -
WB60FV60ALZ

数据表

- Die Bulk Active Standard 600 V 2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 10 µA @ 600 V - 60A - - Surface Mount Wafer -40°C ~ 175°C
WB75FC65ALZ

WB75FC65ALZ

WB75FC65AL/NAU000/NO MARK*CHIPS

WeEn Semiconductors

3,597 -
WB75FC65ALZ

数据表

- Die Bulk Active Standard 650 V 2.75 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 650 V - 75A - - Surface Mount Wafer 175°C
WBSF30FC120ALV

WBSF30FC120ALV

WBSF30FC120AL/NAU000/NO MARK*CHI

WeEn Semiconductors

7,519 -
WBSF30FC120ALV

数据表

- Die Bulk Active Standard 1200 V 3.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 250 µA @ 1200 V - 30A - - Surface Mount Wafer 175°C
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