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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
WB30FC120ALZ

WB30FC120ALZ

WB30FC120AL/NAU000/NO MARK*CHIPS

WeEn Semiconductors

8,806 -
WB30FC120ALZ

数据表

- Die Bulk Active Standard 1200 V 3.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 250 µA @ 1200 V - 30A - - Surface Mount Wafer 175°C
BYC30Y-600PQ

BYC30Y-600PQ

BYC30Y-600P/IITO220-2L/STANDARD

WeEn Semiconductors

3,247 -
BYC30Y-600PQ

数据表

- TO-220-2 Bulk Active Standard 600 V 2.75 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 600 V - 30A - - Through Hole IITO-220-2L 175°C
BYC30DW-600PQ

BYC30DW-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

WeEn Semiconductors

2,954 -
BYC30DW-600PQ

数据表

- TO-247-2 Bulk Active Standard 600 V 3.3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 33 ns 10 µA @ 600 V - 30A - - Through Hole TO-247-2 175°C (Max)
BYC30MW-650PT2Q

BYC30MW-650PT2Q

BYC30MW-650PT2/TO247-2L/STANDARD

WeEn Semiconductors

2,749 -
BYC30MW-650PT2Q

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 2.75 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 38 ns 30 µA @ 650 V - 30A - - Through Hole TO-247-2 -65°C ~ 175°C
BYC30-1200PQ

BYC30-1200PQ

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC

WeEn Semiconductors

9,597 -
BYC30-1200PQ

数据表

- TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 3.3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 250 µA @ 1200 V - 30A - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
BYC8X-600P,127

BYC8X-600P,127

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

WeEn Semiconductors

5,038 -
BYC8X-600P,127

数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 1.9 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 18 ns 20 µA @ 600 V - 8A - - Through Hole TO-220FP 175°C (Max)
BYV30W-600PQ

BYV30W-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

WeEn Semiconductors

6,523 -
BYV30W-600PQ

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 1.55 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 10 µA @ 600 V - 30A - - Through Hole TO-247-2 175°C (Max)
BYC30WT-600PSQ

BYC30WT-600PSQ

BYC30WT-600PS/TO-247/STANDARD MA

WeEn Semiconductors

5,353 -
BYC30WT-600PSQ

数据表

- TO-247-3 Bulk Active Standard 600 V 2.75 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 600 V - 30A - - Through Hole TO-247-3 175°C
BYV30B-600PJ

BYV30B-600PJ

DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK

WeEn Semiconductors

3,448 -
BYV30B-600PJ

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1.55 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 10 µA @ 600 V - 30A - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
WNSC6D06650Q

WNSC6D06650Q

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC

WeEn Semiconductors

9,656 -
WNSC6D06650Q

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.4 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 327pF @ 1V, 1MHz 6A - - Through Hole TO-220AC 175°C
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