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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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APT30D30BG

APT30D30BG

DIODE GP 300V 30A TO247

Microchip Technology

44 -
APT30D30BG

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 300 V 1.4 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 250 µA @ 300 V - 30A - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
CDLL5196

CDLL5196

DIODE GP 250V 200MA DO213AA

Microchip Technology

3,143 -
CDLL5196

数据表

- DO-213AA Bulk Active Standard 250 V 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 100 µA @ 250 V - 200mA - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
1N5194UR

1N5194UR

DIODE GEN PURP 70V 200MA DO213AA

Microchip Technology

8,413 -
1N5194UR

数据表

- DO-213AA Bulk Active Standard 70 V 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 70 V - 200mA - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
1N5196UR

1N5196UR

DIODE GP 225V 200MA DO213AA

Microchip Technology

6,639 -
1N5196UR

数据表

- DO-213AA Bulk Active Standard 225 V 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 225 V - 200mA - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
1N5818-1

1N5818-1

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41

Microchip Technology

91 -
1N5818-1

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 30 V 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 30 V - 1A - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 150°C
1N4944/TR

1N4944/TR

DIODE GEN PURP 400V 1A

Microchip Technology

5,954 -
1N4944/TR

数据表

- A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 400 V 35pF @ 12V, 1MHz 1A - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
JANTXV1N4247/TR

JANTXV1N4247/TR

DIODE GEN PURP 600V 1A

Microchip Technology

7,853 -
JANTXV1N4247/TR

数据表

- A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 600 V - 1A Military MIL-PRF-19500/286 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N4945/TR

1N4945/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

3,406 -
1N4945/TR

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
1N3070UR

1N3070UR

DIODE GP 200V 100MA DO213AA

Microchip Technology

7,469 -
1N3070UR

数据表

- DO-213AA Bulk Active Standard 200 V 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns 100 nA @ 175 V - 100mA - - Surface Mount DO-213AA -
JANTX1N5618US

JANTX1N5618US

DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A

Microchip Technology

9,130 -
JANTX1N5618US

数据表

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 600 V 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 600 V - 1A Military MIL-PRF-19500/427 Surface Mount D-5A -65°C ~ 200°C
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