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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
1N5187US

1N5187US

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Microchip Technology

7,555 -
1N5187US

数据表

- B, Axial Bulk Active Standard 200 V 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 2 µA @ 200 V - 3A - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5188US

1N5188US

DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Microchip Technology

7,439 -
1N5188US

数据表

- B, Axial Bulk Active Standard 400 V 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 2 µA @ 400 V - 3A - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5189US

1N5189US

DIODE GEN PURP 500V 3A D-5B

Microchip Technology

4,532 -
1N5189US

数据表

- SQ-MELF, E Bulk Active Standard 500 V 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 2 µA @ 500 V - 3A - - Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
1N5196UR/TR

1N5196UR/TR

DIODE GP 225V 200MA DO213AA

Microchip Technology

6,344 -
1N5196UR/TR

数据表

- DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 225 V 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 225 V - 200mA - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
UTR60

UTR60

DIODE GP 600V 500MA A AXIAL

Microchip Technology

8,124 -
UTR60

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1.1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 3 µA @ 600 V 40pF @ 0V, 1MHz 500mA - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
UT262

UT262

DIODE GEN PURP 200V 2A A AXIAL

Microchip Technology

3,590 -
UT262

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1 V @ 900 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2 µA @ 200 V - 2A - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
UTR11

UTR11

DIODE GEN PURP 100V 1A A AXIAL

Microchip Technology

7,579 -
UTR11

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 100 V 1.1 V @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 3 µA @ 100 V 100pF @ 0V, 1MHz 1A - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
UTR31

UTR31

DIODE GEN PURP 300V 1A A AXIAL

Microchip Technology

9,123 -
UTR31

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 300 V 1.1 V @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 3 µA @ 300 V 70pF @ 0V, 1MHz 1A - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
UTR22

UTR22

DIODE GEN PURP 200V 2A A AXIAL

Microchip Technology

4,878 -
UTR22

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1.1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 3 µA @ 200 V 80pF @ 0V, 1MHz 2A - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
UTR12

UTR12

DIODE GEN PURP 100V 2A A AXIAL

Microchip Technology

3,022 -
UTR12

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 100 V 1.1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 3 µA @ 100 V 100pF @ 0V, 1MHz 2A - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
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