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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
CD3A20

CD3A20

DIODE SCHOTTKY 20V 3A DIE

Microchip Technology

7,929 -
CD3A20

数据表

- Die Tape & Reel (TR) Active Schottky 20 V 550 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 20 V - 3A - - Surface Mount Die -65°C ~ 125°C
CD3A40

CD3A40

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DIE

Microchip Technology

7,997 -
CD3A40

数据表

- Die Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 550 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 40 V - 3A - - Surface Mount Die -65°C ~ 125°C
JANTXV1N4248

JANTXV1N4248

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Microchip Technology

3,811 -
JANTXV1N4248

数据表

- A, Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 800 V 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 800 V - 1A Military MIL-PRF-19500/286 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N3070UR/TR

1N3070UR/TR

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

Microchip Technology

9,000 -
1N3070UR/TR

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
1N5616US

1N5616US

DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A

Microchip Technology

92 -
1N5616US

数据表

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 400 V 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 400 V - 1A - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 200°C
1N5554/TR

1N5554/TR

STD RECTIFIER

Microchip Technology

3,483 -
1N5554/TR

数据表

- B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 1000 V 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 1000 V - 3A - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
CDLL5819E3

CDLL5819E3

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

4,905 -
CDLL5819E3

数据表

- DO-213AB, MELF (Glass) Bulk Active Schottky 45 V 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz 1A - - Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 125°C
JANTX1N5619US/TR

JANTX1N5619US/TR

DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A

Microchip Technology

4,077 -
JANTX1N5619US/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 500 nA @ 600 V 25pF @ 12V, 1MHz 1A Military MIL-PRF-19500/429 Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
JANTX1N5620US/TR

JANTX1N5620US/TR

DIODE GEN PURP 800V 1A D-5A

Microchip Technology

3,668 -
JANTX1N5620US/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 800 V - 1A Military MIL-PRF-19500/427 Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
1N5186US

1N5186US

DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Microchip Technology

4,112 -
1N5186US

数据表

- B, Axial Bulk Active Standard 100 V 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 2 µA @ 100 V - 3A - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
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