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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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IDP06E60

IDP06E60

DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO220

Infineon Technologies

5,145 -
IDP06E60

数据表

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 600 V 2 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 50 µA @ 600 V - 14.7A - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDP09E120

IDP09E120

DIODE GEN PURP 1.2KV 23A TO220-2

Infineon Technologies

6,297 -
IDP09E120

数据表

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 1200 V 2.15 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 140 ns 100 µA @ 1200 V - 23A - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 150°C
IDP23E60

IDP23E60

DIODE GP 600V 41A TO220-2-2

Infineon Technologies

6,051 -
IDP23E60

数据表

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 600 V 2 V @ 23 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 120 ns 50 µA @ 600 V - 41A - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDP30E60XKSA1

IDP30E60XKSA1

DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220

Infineon Technologies

9,362 -
IDP30E60XKSA1

数据表

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 600 V 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 126 ns 50 µA @ 600 V - 52.3A - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDP45E60XKSA1

IDP45E60XKSA1

DIODE GP 600V 71A TO220-2-2

Infineon Technologies

2,660 -
IDP45E60XKSA1

数据表

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 600 V 2 V @ 45 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 140 ns 50 µA @ 600 V - 71A - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDB12E120ATMA1

IDB12E120ATMA1

DIODE GP 1.2KV 28A TO263-3-2

Infineon Technologies

2,052 -
IDB12E120ATMA1

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 1200 V 2.15 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 100 µA @ 1200 V - 28A - - Surface Mount PG-TO263-3-2 -55°C ~ 150°C
IDB30E60ATMA1

IDB30E60ATMA1

DIODE GP 600V 52.3A TO263-3-2

Infineon Technologies

5,677 -
IDB30E60ATMA1

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 600 V 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 126 ns 50 µA @ 600 V - 52.3A - - Surface Mount PG-TO263-3-2 -40°C ~ 175°C
IDV30E60C

IDV30E60C

DIODE GP 600V 21A TO220-2FP

Infineon Technologies

4,229 -
IDV30E60C

数据表

- TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Standard 600 V 2.05 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 130 ns 40 µA @ 600 V - 21A - - Through Hole PG-TO220-2 Full Pack -55°C ~ 175°C
IDH10G65C5XKSA1

IDH10G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2

Infineon Technologies

7,297 -
IDH10G65C5XKSA1

数据表

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 340 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz 10A - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH05G65C5XKSA1

IDH05G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 5A TO220-2-2

Infineon Technologies

2,413 -
IDH05G65C5XKSA1

数据表

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 170 µA @ 650 V 160pF @ 1V, 1MHz 5A - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
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