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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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BAR74E6327HTSA1

BAR74E6327HTSA1

DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23

Infineon Technologies

8,910 -
BAR74E6327HTSA1

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 50 V 1 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz 250mA - - Surface Mount PG-SOT23 -65°C ~ 150°C
BAS70E6433HTMA1

BAS70E6433HTMA1

DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23

Infineon Technologies

29,945 -
BAS70E6433HTMA1

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active Schottky 70 V 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 100 ps 100 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz 70mA - - Surface Mount PG-SOT23 -55°C ~ 125°C
MMBD914LT1HTSA1

MMBD914LT1HTSA1

DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23

Infineon Technologies

4,872 -
MMBD914LT1HTSA1

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 100 V 1.25 V @ 150 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 75 V 2pF @ 0V, 1MHz 250mA - - Surface Mount PG-SOT23 150°C (Max)
BAS7002WH6327XTSA1

BAS7002WH6327XTSA1

DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SCD80-2

Infineon Technologies

7,434 -
BAS7002WH6327XTSA1

数据表

- SC-80 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 70 V 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 100 ps 100 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz 70mA - - Surface Mount SCD-80 -55°C ~ 125°C
BAS 3005B-02V E6327

BAS 3005B-02V E6327

DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2

Infineon Technologies

5,221 -
BAS 3005B-02V E6327

数据表

- SC-79, SOD-523 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 620 mV @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 30 V 10pF @ 5V, 1MHz 500mA - - Surface Mount PG-SC79-2 -55°C ~ 125°C
BAT60BE6359HTMA1

BAT60BE6359HTMA1

DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD323-2

Infineon Technologies

9,336 -
BAT60BE6359HTMA1

数据表

- SC-76, SOD-323 Tape & Reel (TR) Active Schottky 10 V 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 8 V 25pF @ 5V, 1MHz 3A Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-SOD323-2 150°C
SIDC01D120H6

SIDC01D120H6

DIODE GP 1.2KV 600MA WAFER

Infineon Technologies

5,456 -
SIDC01D120H6

数据表

- Die Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1200 V 1.6 V @ 600 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 1200 V - 600mA - - Surface Mount Sawn on foil -55°C ~ 150°C
IDW15E65D2FKSA1

IDW15E65D2FKSA1

DIODE GP 650V 30A TO247-3-1

Infineon Technologies

219 -
IDW15E65D2FKSA1

数据表

- TO-247-3 Tube Active Standard 650 V 2.3 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 47 ns 40 µA @ 650 V - 30A - - Through Hole PG-TO247-3-1 -40°C ~ 175°C
IDW50E60FKSA1

IDW50E60FKSA1

DIODE GEN PURP 600V 80A TO247-3

Infineon Technologies

240 -
IDW50E60FKSA1

数据表

- TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 2 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 40 µA @ 600 V - 80A - - Through Hole PG-TO247-3 -40°C ~ 175°C
IDW30E60FKSA1

IDW30E60FKSA1

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3

Infineon Technologies

179 -
IDW30E60FKSA1

数据表

- TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 143 ns 40 µA @ 600 V - 60A - - Through Hole PG-TO247-3 -40°C ~ 175°C
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