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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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PX8244HDMG008XTMA1

PX8244HDMG008XTMA1

LED PX8244HDMG008XTMA1

Infineon Technologies

8,000 -
PX8244HDMG008XTMA1

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
IDC10D120T6MX1SA1

IDC10D120T6MX1SA1

DIODE GP 1.2KV 15A WAFER

Infineon Technologies

7,472 -
IDC10D120T6MX1SA1

数据表

- Die Bulk Obsolete Standard 1200 V 2.05 V @ 15 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 3.5 µA @ 1200 V - 15A - - Surface Mount Sawn on foil -40°C ~ 175°C
SDD04S60

SDD04S60

DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-31

Infineon Technologies

8,136 -
SDD04S60

数据表

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 1.9 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 150pF @ 0V, 1MHz 4A - - Surface Mount PG-TO252-3-11 -55°C ~ 175°C
IDDD12G65C6XTMA1

IDDD12G65C6XTMA1

DIODE SIL CARB 650V 34A HDSOP-10

Infineon Technologies

2,234 -
IDDD12G65C6XTMA1

数据表

CoolSiC™+ 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 420 V 594pF @ 1V, 1MHz 34A - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1 -55°C ~ 175°C
SDT08S60

SDT08S60

DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-2

Infineon Technologies

6,617 -
SDT08S60

数据表

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 600 V 280pF @ 0V, 1MHz 8A - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
PX8746JDNG029XTMA1

PX8746JDNG029XTMA1

LED PX8746JDNG029XTMA1

Infineon Technologies

8,384 -
PX8746JDNG029XTMA1

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
IDD04S60CBUMA1

IDD04S60CBUMA1

DIODE SIC 600V 5.6A TO252-31

Infineon Technologies

2,579 -
IDD04S60CBUMA1

数据表

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 1.9 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 130pF @ 1V, 1MHz 5.6A - - Surface Mount PG-TO252-3-11 -55°C ~ 175°C
IDW10S120FKSA1

IDW10S120FKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3

Infineon Technologies

4,069 -
IDW10S120FKSA1

数据表

CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 240 µA @ 1200 V 580pF @ 1V, 1MHz 10A - - Through Hole PG-TO247-3-41 -55°C ~ 175°C
IDH10S120AKSA1

IDH10S120AKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2

Infineon Technologies

9,194 -
IDH10S120AKSA1

数据表

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 240 µA @ 1200 V 500pF @ 1V, 1MHz 10A - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDW30G65C5FKSA1

IDW30G65C5FKSA1

DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3

Infineon Technologies

7,764 -
IDW30G65C5FKSA1

数据表

CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 1.1 mA @ 650 V 860pF @ 1V, 1MHz 30A - - Through Hole PG-TO247-3-1 -55°C ~ 175°C
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