富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
IDK05G65C5XTMA1

IDK05G65C5XTMA1

DIODE SIL CARB 650V 5A TO263-2

Infineon Technologies

2,842 -
IDK05G65C5XTMA1

数据表

CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 830 µA @ 650 V 160pF @ 1V, 1MHz 5A - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
IDD05SG60CXTMA2

IDD05SG60CXTMA2

DIODE SIL CARB 600V 5A TO252-3

Infineon Technologies

5,000 -
IDD05SG60CXTMA2

数据表

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 2.3 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 600 V 110pF @ 1V, 1MHz 5A - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
IDP23011XUMA1

IDP23011XUMA1

AC/DC DIGITAL PLATFORM

Infineon Technologies

5,705 -
IDP23011XUMA1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - -
IDP2308T1XUMA1

IDP2308T1XUMA1

AC/DC DIGITAL PLATFORM

Infineon Technologies

5,108 -
IDP2308T1XUMA1

数据表

* - Tape & Reel (TR) Last Time Buy - - - - - - - - - - - - -
IDT04S60C

IDT04S60C

RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY

Infineon Technologies

414 -
IDT04S60C

数据表

- TO-220-2 Bulk Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 2.4 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 600 V 60pF @ 1V, 1MHz 3A - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
IDP2321XUMA1

IDP2321XUMA1

IC AC/DC DGTL PLATFORM 16SOIC

Infineon Technologies

3,381 -
IDP2321XUMA1

数据表

* - Tape & Reel (TR) Not For New Designs - - - - - - - - - - - - -
IDV05S60CXKSA1

IDV05S60CXKSA1

DIODE SIL CARB 600V 5A TO220FP

Infineon Technologies

5,855 -
IDV05S60CXKSA1

数据表

CoolSiC™+ TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 600 V 240pF @ 1V, 1MHz 5A - - Through Hole PG-TO220-2 Full Pack -55°C ~ 175°C
IDK02G65C5XTMA2

IDK02G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 2A TO263-2

Infineon Technologies

588 -
IDK02G65C5XTMA2

数据表

CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 330 µA @ 650 V 70pF @ 1V, 1MHz 2A - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
IDH02G65C5XKSA2

IDH02G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2

Infineon Technologies

458 -
IDH02G65C5XKSA2

数据表

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - 70pF @ 1V, 1MHz 2A - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
IDK09G65C5XTMA2

IDK09G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 9A TO263-2

Infineon Technologies

8,118 -
IDK09G65C5XTMA2

数据表

CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 9 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 1.6 mA @ 650 V 270pF @ 1V, 1MHz 9A - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
共 685 条记录«上一页1... 678910111213...69下一页»
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户