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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FMD21-05QC

FMD21-05QC

MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC

IXYS

6,912 -
FMD21-05QC

数据表

- i4-Pac™-5 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 21A (Tc) 10V 220mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4.5V @ 250µA 95 nC @ 10 V 500 V ±20V - - - ISOPLUS i4-PAC™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
FMD40-06KC

FMD40-06KC

MOSFET N-CH 600V 38A I4PAC

IXYS

3,227 -
FMD40-06KC

数据表

HiPerFET™ i4-Pac™-5 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 38A (Tc) 10V 70mOhm @ 20A, 10V Through Hole 3.9V @ 2.7mA 250 nC @ 10 V 600 V ±20V - - - ISOPLUS i4-PAC™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFB38N100Q2

IXFB38N100Q2

MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264

IXYS

9,400 -
IXFB38N100Q2

数据表

HiPerFET™, Q2 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 38A (Tc) 10V 250mOhm @ 19A, 10V Through Hole 5.5V @ 8mA 250 nC @ 10 V 1000 V ±30V 13500 pF @ 25 V - - PLUS264™ - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFB50N80Q2

IXFB50N80Q2

MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264

IXYS

3,318 -
IXFB50N80Q2

数据表

HiPerFET™, Q2 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 10V 160mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 5.5V @ 8mA 260 nC @ 10 V 800 V ±30V 7200 pF @ 25 V - - PLUS264™ - 1135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH15N100Q

IXFH15N100Q

MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD

IXYS

2,393 -
IXFH15N100Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 700mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 5V @ 4mA 170 nC @ 10 V 1000 V ±20V 4500 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH16N90Q

IXFH16N90Q

MOSFET N-CH 900V 16A TO247AD

IXYS

8,009 -
IXFH16N90Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 10V 650mOhm @ 8A, 10V Through Hole 5V @ 4mA 170 nC @ 10 V 900 V ±20V 4000 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH20N60Q

IXFH20N60Q

MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD

IXYS

6,867 -
IXFH20N60Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 350mOhm @ 10A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V 600 V ±30V 3300 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH21N50Q

IXFH21N50Q

MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD

IXYS

8,307 -
IXFH21N50Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 21A (Tc) 10V 250mOhm @ 10.5A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 84 nC @ 10 V 500 V ±30V 3000 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 280W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH23N60Q

IXFH23N60Q

MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

IXYS

2,937 -
IXFH23N60Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 23A (Tc) 10V 320mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V 600 V ±30V 3300 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH24N50Q

IXFH24N50Q

MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD

IXYS

3,766 -
IXFH24N50Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 10V 230mOhm @ 12A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 95 nC @ 10 V 500 V ±20V 3900 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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