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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXFP8N50PM

IXFP8N50PM

MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB

IXYS

6,640 -
IXFP8N50PM

数据表

HiPerFET™, PolarHT™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.4A (Tc) 10V 800mOhm @ 4A, 10V Through Hole 5.5V @ 1mA 20 nC @ 10 V 500 V ±30V 1050 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFR24N50Q

IXFR24N50Q

MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247

IXYS

2,650 -
IXFR24N50Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 22A (Tc) 10V 230mOhm @ 12A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 95 nC @ 10 V 500 V ±20V 3900 pF @ 25 V - - ISOPLUS247™ - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFR24N90Q

IXFR24N90Q

MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247

IXYS

7,330 -
IXFR24N90Q

数据表

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Box Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - - - Through Hole - - 900 V - - - - ISOPLUS247™ - - -
IXFR26N60Q

IXFR26N60Q

MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247

IXYS

2,702 -
IXFR26N60Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 23A (Tc) 10V 250mOhm @ 13A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 200 nC @ 10 V 600 V ±20V 5100 pF @ 25 V - - ISOPLUS247™ - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFR32N50Q

IXFR32N50Q

MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247

IXYS

5,520 -
IXFR32N50Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 160mOhm @ 16A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 150 nC @ 10 V 500 V ±20V 3950 pF @ 25 V - - ISOPLUS247™ - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFR48N50Q

IXFR48N50Q

MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247

IXYS

9,493 -
IXFR48N50Q

数据表

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 10V 110mOhm @ 24A, 10V Through Hole 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V 500 V ±20V 7000 pF @ 25 V - - ISOPLUS247™ - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFR66N50Q2

IXFR66N50Q2

MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247

IXYS

4,905 -
IXFR66N50Q2

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 10V 85mOhm @ 33A, 10V Through Hole 5.5V @ 8mA 200 nC @ 10 V 500 V ±30V 9125 pF @ 25 V - - ISOPLUS247™ - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFR90N30

IXFR90N30

MOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247

IXYS

2,045 -
IXFR90N30

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 33mOhm @ 45A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 360 nC @ 10 V 300 V ±20V 10000 pF @ 25 V - - ISOPLUS247™ - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT12N90Q

IXFT12N90Q

MOSFET N-CH 900V 12A TO268

IXYS

9,514 -
IXFT12N90Q

数据表

HiPerFET™, Q Class TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 900mOhm @ 6A, 10V Surface Mount 5.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V 900 V ±20V 2900 pF @ 25 V - - TO-268AA - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT16N90Q

IXFT16N90Q

MOSFET N-CH 900V 16A TO268

IXYS

7,435 -
IXFT16N90Q

数据表

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 10V 650mOhm @ 8A, 10V Surface Mount 5V @ 4mA 170 nC @ 10 V 900 V ±20V 4000 pF @ 25 V - - TO-268AA - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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