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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXFP110N15T2

IXFP110N15T2

MOSFET N-CH 150V 110A TO220AB

IXYS

50 -
IXFP110N15T2

数据表

HiPerFET™, TrenchT2™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 110A (Tc) 10V 13mOhm @ 55A, 10V Through Hole 4.5V @ 250µA 150 nC @ 10 V 150 V ±20V 8600 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTY4N65X2

IXTY4N65X2

MOSFET N-CH 650V 4A TO252

IXYS

42 -
IXTY4N65X2

数据表

Ultra X2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Tc) 10V 850mOhm @ 2A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V 650 V ±30V 455 pF @ 25 V - - TO-252AA - 80W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTH12N70X2

IXTH12N70X2

MOSFET N-CH 700V 12A TO247

IXYS

30 -
IXTH12N70X2

数据表

Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 300mOhm @ 6A, 10V Through Hole 4.5V @ 250µA 19 nC @ 10 V 700 V ±30V 960 pF @ 25 V - - TO-247 (IXTH) - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH96N20P

IXFH96N20P

MOSFET N-CH 200V 96A TO247AD

IXYS

29 -
IXFH96N20P

数据表

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 96A (Tc) 10V 24mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 5V @ 4mA 145 nC @ 10 V 200 V ±20V 4800 pF @ 25 V - - TO-247AD (IXFH) - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXFT70N20Q3

IXFT70N20Q3

MOSFET N-CH 200V 70A TO268

IXYS

30 -
IXFT70N20Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70A (Tc) 10V 40mOhm @ 35A, 10V Surface Mount 6.5V @ 4mA 67 nC @ 10 V 200 V ±20V 3150 pF @ 25 V - - TO-268AA - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT50N30Q3

IXFT50N30Q3

MOSFET N-CH 300V 50A TO268

IXYS

30 -
IXFT50N30Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 10V 80mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 6.5V @ 4mA 65 nC @ 10 V 300 V ±20V 3165 pF @ 25 V - - TO-268AA - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT30N50Q3

IXFT30N50Q3

MOSFET N-CH 500V 30A TO268

IXYS

30 -
IXFT30N50Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 200mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 6.5V @ 4mA 62 nC @ 10 V 500 V ±20V 3200 pF @ 25 V - - TO-268AA - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX80N50P

IXFX80N50P

MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3

IXYS

30 -
IXFX80N50P

数据表

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 65mOhm @ 40A, 10V Through Hole 5V @ 8mA 197 nC @ 10 V 500 V ±30V 12700 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTK140N30P

IXTK140N30P

MOSFET N-CH 300V 140A TO264

IXYS

14 -
IXTK140N30P

数据表

Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 140A (Tc) 10V 24mOhm @ 70A, 10V Through Hole 5V @ 500µA 185 nC @ 10 V 300 V ±20V 14800 pF @ 25 V - - TO-264 (IXTK) - - -
IXFX48N60Q3

IXFX48N60Q3

MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247-3

IXYS

38 -
IXFX48N60Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 48A (Tc) 10V 140mOhm @ 24A, 10V Through Hole 6.5V @ 4mA 140 nC @ 10 V 600 V ±30V 7020 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 1000W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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