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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs

制造商	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
Alpha & Omega Semiconductor Inc. Analog Power Inc. ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED APSEMI Bruckewell Cambridge GaN Devices Central Semiconductor Corp Coherent Corp Comchip Technology CoolCAD Diodes Incorporated Diotec Semiconductor EPC EPC Space, LLC EVVO Fairchild Semiconductor Fairchild/ON Semiconductor fastSiC Flip Electronics GaNPower GeneSiC Semiconductor Goford Semiconductor Good-Ark Semiconductor Harris Corporation Honeywell Aerospace HY Electronic (Cayman) Limited IceMOS Technology Infineon Technologies International Rectifier Intersil Inventchip IXYS IXYS Integrated Circuits Division Linear Integrated Systems, Inc. Littelfuse Inc. MaxLinear, Inc. MDD Meritek Micro Commercial Co Microchip Technology Microsemi Corporation Motorola National Semiconductor NEC Corporation Nexperia USA Inc. NextGen Components Group NoMIS Power NovuSem Nuvoton Technology Corporation NXP Semiconductors onsemi Panasonic - BSG Panjit International Inc. PN Junction Semiconductor Qorvo Quest Semi Rectron USA Renesas ROHM Semiconductor Sanken Electric USA Inc. Sanyo SemiQ Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. Siemens Siliconix Skyworks Solutions Inc. SMC Diode Solutions SparkFun Electronics STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Corporation Texas Instruments Torex Semiconductor Ltd Toshiba Semiconductor and Storage Transphorm TT Electronics/Optek Technology UMW Venkel Vicor Corporation Vishay Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay Siliconix WeEn Semiconductors Wise-Integration Wolfspeed, Inc. YAGEO XSemi

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图片	厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
	IXTM40N30 MOSFET N-CH 300V 40A TO204AE IXYS	5,705	-	询价单	数据表	GigaMOS™	TO-204AE	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	40A (Tc)	10V	88mOhm @ 20A, 10V	Through Hole	4V @ 250µA	220 nC @ 10 V	300 V	±20V	4600 pF @ 25 V	-	-	TO-204AE	-	300W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)
	IXTM50N20 MOSFET N-CH 200V 50A TO204AE IXYS	9,261	-	询价单	数据表	GigaMOS™	TO-204AE	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	50A (Tc)	10V	45mOhm @ 25A, 10V	Through Hole	4V @ 250µA	220 nC @ 10 V	200 V	±20V	4600 pF @ 25 V	-	-	TO-204AE	-	300W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)
	IXTM5N100 MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA IXYS	3,188	-	询价单	数据表	-	TO-204AA, TO-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	5A (Tc)	10V	2.4Ohm @ 2.5A, 10V	Through Hole	4.5V @ 250µA	130 nC @ 10 V	1000 V	±20V	2600 pF @ 25 V	-	-	TO-204AA (IXTM)	-	180W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)
	IXTM5N100A MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA IXYS	2,161	-	询价单	数据表	-	TO-204AA, TO-3	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	5A (Tc)	10V	2Ohm @ 2.5A, 10V	Through Hole	4.5V @ 250µA	130 nC @ 10 V	1000 V	±20V	2600 pF @ 25 V	-	-	TO-204AA (IXTM)	-	180W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)
	IXTM67N10 MOSFET N-CH 100V 67A TO204AE IXYS	7,240	-	询价单	数据表	GigaMOS™	TO-204AE	Tube	Obsolete	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	67A (Tc)	10V	25mOhm @ 33.5A, 10V	Through Hole	4V @ 4mA	260 nC @ 10 V	100 V	±20V	4500 pF @ 25 V	-	-	TO-204AE	-	300W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)
	IXFP8N65X2M MOSFET N-CH 650V 8A TO220 IXYS	5,736	-	询价单	数据表	HiPerFET™, Ultra X2	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Tube	Active	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	8A (Tc)	10V	450mOhm @ 4A, 10V	Through Hole	5V @ 250µA	11 nC @ 10 V	650 V	±30V	790 pF @ 25 V	-	-	TO-220 Isolated Tab	-	150W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)

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