富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
IXFN120N25

IXFN120N25

MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B

IXYS

8,427 -
IXFN120N25

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A - - Chassis Mount - - 250 V - - - - SOT-227B - - -
IXFN21N100Q

IXFN21N100Q

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

IXYS

7,289 -
IXFN21N100Q

数据表

HiPerFET™, Q Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 21A (Tc) 10V 500mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 5V @ 4mA 170 nC @ 10 V 1000 V ±20V 5900 pF @ 25 V - - SOT-227B - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

IXYS

9,165 -
IXFN27N80Q

数据表

HiPerFET™, Q Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 27A (Tc) 10V 320mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 4.5V @ 4mA 170 nC @ 10 V 800 V ±20V 7600 pF @ 25 V - - SOT-227B - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN38N80Q2

IXFN38N80Q2

MOSFET N-CH 800V 38A SOT227B

IXYS

5,958 -
IXFN38N80Q2

数据表

HiPerFET™, Q2 Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 38A (Tc) 10V 220mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 4.5V @ 8mA 190 nC @ 10 V 800 V ±30V 8340 pF @ 25 V - - SOT-227B - 735W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN44N60

IXFN44N60

MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B

IXYS

8,297 -
IXFN44N60

数据表

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 44A (Tc) 10V 130mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 4.5V @ 8mA 330 nC @ 10 V 600 V ±20V 8900 pF @ 25 V - - SOT-227B - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN48N50Q

IXFN48N50Q

MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B

IXYS

5,611 -
IXFN48N50Q

数据表

HiPerFET™, Q Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 48A (Tc) 10V 100mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V 500 V ±20V 7000 pF @ 25 V - - SOT-227B - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN66N50Q2

IXFN66N50Q2

MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B

IXYS

9,163 -
IXFN66N50Q2

数据表

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 66A (Tc) 10V 80mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 4.5V @ 8mA 199 nC @ 10 V 500 V ±30V 6800 pF @ 25 V - - SOT-227B - 735W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN80N50Q2

IXFN80N50Q2

MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B

IXYS

2,983 -
IXFN80N50Q2

数据表

HiPerFET™, Q2 Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 72A (Tc) 10V 60mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 4.5V @ 8mA 250 nC @ 10 V 500 V ±30V 12800 pF @ 25 V - - SOT-227B - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFP3N50PM

IXFP3N50PM

MOSFET N-CH 500V 2.7A TO220AB

IXYS

9,426 -
IXFP3N50PM

数据表

HiPerFET™, PolarHT™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.7A (Tc) 10V 2Ohm @ 1.8A, 10V Through Hole 5.5V @ 250µA 9.3 nC @ 10 V 500 V ±30V 409 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFP5N50PM

IXFP5N50PM

MOSFET N-CH 500V 3.2A TO220AB

IXYS

4,184 -
IXFP5N50PM

数据表

HiPerFET™, PolarHT™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Through Hole 5.5V @ 500µA 12.6 nC @ 10 V 500 V ±30V 620 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
共 1116 条记录«上一页1... 7778798081828384...112下一页»
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户