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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXFK64N50Q3

IXFK64N50Q3

MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA

IXYS

23 -
IXFK64N50Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 64A (Tc) 10V 85mOhm @ 32A, 10V Through Hole 6.5V @ 4mA 145 nC @ 10 V 500 V ±30V 6950 pF @ 25 V - - TO-264AA (IXFK) - 1000W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFK48N60Q3

IXFK48N60Q3

MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA

IXYS

6 -
IXFK48N60Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 48A (Tc) 10V 140mOhm @ 24A, 10V Through Hole 6.5V @ 4mA 140 nC @ 10 V 600 V ±30V 7020 pF @ 25 V - - TO-264AA (IXFK) - 1000W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTT60N20L2

IXTT60N20L2

MOSFET N-CH 200V 60A TO268

IXYS

33 -
IXTT60N20L2

数据表

Linear L2™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 10V 45mOhm @ 30A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 255 nC @ 10 V 200 V ±20V 10500 pF @ 25 V - - TO-268AA - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFL132N50P3

IXFL132N50P3

MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264

IXYS

25 -
IXFL132N50P3

数据表

HiPerFET™, Polar3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 63A (Tc) 10V 43mOhm @ 66A, 10V Through Hole 5V @ 8mA 250 nC @ 10 V 500 V ±30V 18600 pF @ 25 V - - ISOPLUS264™ - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFL210N30P3

IXFL210N30P3

MOSFET N-CH 300V 108A ISOPLUS264

IXYS

13 -
IXFL210N30P3

数据表

HiPerFET™, Polar3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 108A (Tc) 10V 16mOhm @ 105A, 10V Through Hole 5V @ 8mA 268 nC @ 10 V 300 V ±20V 16200 pF @ 25 V - - ISOPLUS264™ - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFR44N50Q3

IXFR44N50Q3

MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247

IXYS

25 -
IXFR44N50Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Tc) 10V 154mOhm @ 22A, 10V Through Hole 6.5V @ 4mA 93 nC @ 10 V 500 V ±30V 4800 pF @ 25 V - - ISOPLUS247™ - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXKR40N60C

IXKR40N60C

MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247

IXYS

14 -
IXKR40N60C

数据表

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 38A (Tc) 10V 70mOhm @ 25A, 10V Through Hole 3.9V @ 3mA 250 nC @ 10 V 600 V ±20V - - - ISOPLUS247™ - - -40°C ~ 150°C (TJ)
IXFR64N60Q3

IXFR64N60Q3

MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247

IXYS

30 -
IXFR64N60Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 42A (Tc) 10V 104mOhm @ 32A, 10V Through Hole 6.5V @ 4mA 190 nC @ 10 V 600 V ±30V 9930 pF @ 25 V - - ISOPLUS247™ - 568W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFR32N100Q3

IXFR32N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247

IXYS

30 -
IXFR32N100Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 23A (Tc) 10V 350mOhm @ 16A, 10V Through Hole 6.5V @ 8mA 195 nC @ 10 V 1000 V ±30V 9940 pF @ 25 V - - ISOPLUS247™ - 570W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFB40N110Q3

IXFB40N110Q3

MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264

IXYS

20 -
IXFB40N110Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 10V 260mOhm @ 20A, 10V Through Hole 6.5V @ 8mA 300 nC @ 10 V 1100 V ±30V 14000 pF @ 25 V - - PLUS264™ - 1560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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