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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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MMIX1F180N25T

MMIX1F180N25T

MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD

IXYS

18 -
MMIX1F180N25T

数据表

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ 24-PowerSMD, 21 Leads Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 132A (Tc) 10V 13mOhm @ 90A, 10V Surface Mount 5V @ 8mA 364 nC @ 10 V 250 V ±20V 23800 pF @ 25 V - - 24-SMPD - 570W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
MMIX1F132N50P3

MMIX1F132N50P3

MOSFET N-CH 500V 63A 24SMPD

IXYS

20 -
MMIX1F132N50P3

数据表

HiPerFET™, Polar3™ 24-PowerSMD, 21 Leads Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 63A (Tc) 10V 43mOhm @ 66A, 10V Surface Mount 5V @ 8mA 250 nC @ 10 V 500 V ±30V 18600 pF @ 25 V - - 24-SMPD - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXKN40N60C

IXKN40N60C

MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B

IXYS

9 -
IXKN40N60C

数据表

CoolMOS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 10V 70mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 3.9V @ 2.5mA 250 nC @ 10 V 600 V ±20V - - - SOT-227B - 290W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
IXFB100N50Q3

IXFB100N50Q3

MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264

IXYS

11 -
IXFB100N50Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 10V 49mOhm @ 50A, 10V Through Hole 6.5V @ 8mA 255 nC @ 10 V 500 V ±30V 13800 pF @ 25 V - - PLUS264™ - 1560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN62N80Q3

IXFN62N80Q3

MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B

IXYS

8 -
IXFN62N80Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 49A (Tc) 10V 140mOhm @ 31A, 10V Chassis Mount 6.5V @ 8mA 270 nC @ 10 V 800 V ±30V 13600 pF @ 25 V - - SOT-227B - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B

IXYS

38 -
IXFN32N100Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28A (Tc) 10V 320mOhm @ 16A, 10V Chassis Mount 6.5V @ 8mA 195 nC @ 10 V 1000 V ±30V 9940 pF @ 25 V - - SOT-227B - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN44N80Q3

IXFN44N80Q3

MOSFET N-CH 800V 37A SOT227B

IXYS

10 -
IXFN44N80Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 37A (Tc) 10V 190mOhm @ 22A, 10V Chassis Mount 6.5V @ 8mA 185 nC @ 10 V 800 V ±30V 9840 pF @ 25 V - - SOT-227B - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN50N120SK

IXFN50N120SK

SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B

IXYS

17 -
IXFN50N120SK

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 48A (Tc) 20V 52mOhm @ 40A, 20V Chassis Mount 2.8V @ 10mA 115 nC @ 20 V 1200 V +20V, -5V 1895 pF @ 1000 V - - SOT-227B - - -40°C ~ 175°C (TJ)
IXFV52N30P

IXFV52N30P

MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220

IXYS

8,460 -
IXFV52N30P

数据表

PolarHT™ HiPerFET™ TO-220-3, Short Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 52A (Tc) 10V 66mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 5V @ 4mA 110 nC @ 10 V 300 V ±20V 3490 pF @ 25 V - - PLUS220 - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDM21-05QC

FDM21-05QC

MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC

IXYS

9,777 -
FDM21-05QC

数据表

- i4-Pac™-5 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 21A (Tc) 10V 220mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4.5V @ 250µA 95 nC @ 10 V 500 V ±20V - - - ISOPLUS i4-PAC™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
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