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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRFP462

IRFP462

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

152 -
IRFP462

数据表

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17A (Tc) 10V 350mOhm @ 11A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 190 nC @ 10 V 500 V ±20V 4100 pF @ 25 V - - TO-247 - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF353

IRF353

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

295 -
IRF353

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13A (Tc) 10V 400mOhm @ 8A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V 350 V ±20V 2000 pF @ 25 V - - TO-3 - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFP362

IRFP362

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

173 -
IRFP362

数据表

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 250mOhm @ 13A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V 400 V ±20V 4000 pF @ 25 V - - TO-247 - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
RFG50N05

RFG50N05

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

145 -
RFG50N05

数据表

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 10V 22mOhm @ 50A, 10V Through Hole 4V @ 250nA 160 nC @ 20 V 50 V ±20V - - - TO-247 - 132W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
RFA100N05E

RFA100N05E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

1,544 -
RFA100N05E

数据表

- TO-218-5 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 10V 8mOhm @ 100A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V 50 V ±20V - - - TO-218-5 - 240W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SK3991

SK3991

MOSFET 2N-CH 25V 0.03A TO72

Harris Corporation

986 -
SK3991

数据表

- TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Bulk Active - MOSFET (Metal Oxide) 30mA - - Through Hole - - - - - - - TO-72 - - -
RFG75N05E

RFG75N05E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

18,160 -
RFG75N05E

数据表

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 8mOhm @ 75A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 400 nC @ 20 V 50 V ±20V - - - TO-247 - 240W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
2N6792TX

2N6792TX

2A, 400V, 1.8OHM, N-CHANNEL

Harris Corporation

335 -
2N6792TX

数据表

- TO-205AF Metal Can Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 1.25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA - 400 V ±20V 600 pF @ 25 V - - TO-205AF (TO-39) - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
BUZ60BU

BUZ60BU

400V, N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

200 -
BUZ60BU

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RFD8P06LE

RFD8P06LE

8A, 60V, 0.33OHM, P-CHANNEL POWE

Harris Corporation

1,753 -
RFD8P06LE

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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