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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRFP245

IRFP245

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

400 -
IRFP245

数据表

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Tc) 10V 340mOhm @ 10A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 59 nC @ 10 V 250 V ±20V 1300 pF @ 25 V - - TO-247 - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
HUF75344P3

HUF75344P3

MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3

Harris Corporation

4,923 -
HUF75344P3

数据表

UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 8mOhm @ 75A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 210 nC @ 20 V 55 V ±20V 3200 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 285W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF341

IRF341

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

3,034 -
IRF341

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 5.2A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V 350 V ±20V 1250 pF @ 25 V - - TO-3 - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF541

IRF541

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

4,100 -
IRF541

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28A (Tc) 10V 77mOhm @ 17A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 59 nC @ 10 V 80 V ±20V 1450 pF @ 25 V - - TO-220AB - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF442119U

IRF442119U

7A, 500V, 1.1OHM, N-CHANNEL,

Harris Corporation

1,841 -
IRF442119U

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2N6792

2N6792

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

10,903 -
2N6792

数据表

- TO-205AF Metal Can Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 1.25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA - 400 V ±20V 600 pF @ 25 V - - TO-205AF (TO-39) - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF542

IRF542

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

6,835 -
IRF542

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Tc) 10V 100mOhm @ 17A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 59 nC @ 10 V 100 V ±20V 1450 pF @ 25 V - - TO-220AB - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFP246

IRFP246

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

5,674 -
IRFP246

数据表

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 280mOhm @ 10A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 59 nC @ 10 V 275 V ±20V 1300 pF @ 25 V - - TO-247 - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
RF1S70N03

RF1S70N03

MOSFET N-CH 30V 70A TO262AA

Harris Corporation

789 -
RF1S70N03

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70A (Tc) - 10mOhm @ 70A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 260 nC @ 20 V 30 V ±20V 3300 pF @ 25 V - - TO-262AA - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFP250S2453

IRFP250S2453

33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL

Harris Corporation

300 -
IRFP250S2453

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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