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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SI4451DY-T1-E3

SI4451DY-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 10A 8SO

Vishay Siliconix

8,980 -
SI4451DY-T1-E3

数据表

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Ta) 1.8V, 4.5V 8.25mOhm @ 14A, 4.5V Surface Mount 800mV @ 850µA 120 nC @ 4.5 V 12 V ±8V - - - 8-SOIC - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI4451DY-T1-GE3

SI4451DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 10A 8SO

Vishay Siliconix

2,036 -
SI4451DY-T1-GE3

数据表

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Ta) 1.8V, 4.5V 8.25mOhm @ 14A, 4.5V Surface Mount 800mV @ 850µA 120 nC @ 4.5 V 12 V ±8V - - - 8-SOIC - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF510L

IRF510L

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3

Vishay Siliconix

9,429 -
IRF510L

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.6A (Tc) - 540mOhm @ 3.4A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V 100 V - 180 pF @ 25 V - - TO-262-3 - - -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFB9N30A

IRFB9N30A

MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB

Vishay Siliconix

8,773 -
IRFB9N30A

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9.3A (Tc) 10V 450mOhm @ 5.6A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 33 nC @ 10 V 300 V ±30V 920 pF @ 25 V - - TO-220AB - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI7390DP-T1-GE3

SI7390DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

7,206 -
SI7390DP-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Ta) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V 30 V ±20V - - - PowerPAK® SO-8 - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SQM50N04-4M0L_GE3

SQM50N04-4M0L_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263

Vishay Siliconix

5,034 -
SQM50N04-4M0L_GE3

数据表

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V 40 V ±20V 6100 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-263 (D2PAK) Automotive 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRC740PBF

IRC740PBF

MOSFET N-CH 400V 10A TO220-5

Vishay Siliconix

7,362 -
IRC740PBF

数据表

HEXFET® TO-220-5 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V 400 V ±20V 1200 pF @ 25 V - Current Sensing TO-220-5 - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF9530STRRPBF

IRF9530STRRPBF

MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

Vishay Siliconix

6,862 -
IRF9530STRRPBF

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 300mOhm @ 7.2A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V 100 V ±20V 860 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SIA443DJ-T1-E3

SIA443DJ-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6

Vishay Siliconix

9,315 -
SIA443DJ-T1-E3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Tc) 1.8V, 4.5V 45mOhm @ 4.7A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 25 nC @ 8 V 20 V ±8V 750 pF @ 10 V - - PowerPAK® SC-70-6 - 3.3W (Ta), 15W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIA810DJ-T1-E3

SIA810DJ-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

Vishay Siliconix

7,701 -
SIA810DJ-T1-E3

数据表

LITTLE FOOT® PowerPAK® SC-70-6 Dual Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.5A (Tc) 1.8V, 4.5V 53mOhm @ 3.7A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 11.5 nC @ 8 V 20 V ±8V 400 pF @ 10 V - Schottky Diode (Isolated) PowerPAK® SC-70-6 Dual - 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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