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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SQM120N04-1M7_GE3

SQM120N04-1M7_GE3

MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Vishay Siliconix

6,665 -
SQM120N04-1M7_GE3

数据表

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 1.7mOhm @ 30A, 10V Surface Mount 3.5V @ 250µA 310 nC @ 10 V 40 V ±20V 17350 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-263 (D2PAK) Automotive 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SIB411DK-T1-E3

SIB411DK-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6

Vishay Siliconix

6,008 -
SIB411DK-T1-E3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SC-75-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Tc) 1.8V, 4.5V 66mOhm @ 3.3A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 15 nC @ 8 V 20 V ±8V 470 pF @ 10 V - - PowerPAK® SC-75-6 - 2.4W (Ta), 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
TP0610K-T1

TP0610K-T1

MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3

Vishay Siliconix

5,456 -
TP0610K-T1

数据表

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 185mA (Ta) 4.5V, 10V 6Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 1.7 nC @ 15 V 60 V ±20V 23 pF @ 25 V - - SOT-23-3 (TO-236) - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFL014PBF

IRFL014PBF

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

Vishay Siliconix

6,219 -
IRFL014PBF

数据表

- TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 1.6A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V 60 V ±20V 300 pF @ 25 V - - SOT-223 - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFL110PBF

IRFL110PBF

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Vishay Siliconix

2,816 -
IRFL110PBF

数据表

- TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.5A (Tc) 10V 540mOhm @ 900mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V 100 V ±20V 180 pF @ 25 V - - SOT-223 - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRLL110PBF

IRLL110PBF

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Vishay Siliconix

9,425 -
IRLL110PBF

数据表

- TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.5A (Tc) 4V, 5V 540mOhm @ 900mA, 5V Surface Mount 2V @ 250µA 6.1 nC @ 5 V 100 V ±10V 250 pF @ 25 V - - SOT-223 - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIA436DJ-T4-GE3

SIA436DJ-T4-GE3

MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6

Vishay Siliconix

8,005 -
SIA436DJ-T4-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 1.2V, 4.5V 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V Surface Mount 800mV @ 250µA 25.2 nC @ 5 V 8 V ±5V 1508 pF @ 4 V - - PowerPAK® SC-70-6 - 3.5W (Ta), 19W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIHFR9014-GE3

SIHFR9014-GE3

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

Vishay Siliconix

4,931 -
SIHFR9014-GE3

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V 60 V ±20V 270 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI5446DU-T1-GE3

SI5446DU-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK

Vishay Siliconix

7,236 -
SI5446DU-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® ChipFET™ Single Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Tc) 4.5V, 10V 6.4mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V 30 V +20V, -16V 1610 pF @ 15 V - - PowerPAK® ChipFet Single - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1450DH-T1-E3

SI1450DH-T1-E3

MOSFET N-CH 8V 4.53A/6.04A SC70

Vishay Siliconix

4,462 -
SI1450DH-T1-E3

数据表

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.53A (Ta), 6.04A (Tc) 1.5V, 4.5V 47mOhm @ 4A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 7.05 nC @ 5 V 8 V ±5V 535 pF @ 4 V - - SC-70-6 - 1.56W (Ta), 2.78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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