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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SI1450DH-T1-GE3

SI1450DH-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 4.53A/6.04A SC70

Vishay Siliconix

6,806 -
SI1450DH-T1-GE3

数据表

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.53A (Ta), 6.04A (Tc) 1.5V, 4.5V 47mOhm @ 4A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 7.05 nC @ 5 V 8 V ±5V 535 pF @ 4 V - - SC-70-6 - 1.56W (Ta), 2.78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI3443BDV-T1-GE3

SI3443BDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP

Vishay Siliconix

2,642 -
SI3443BDV-T1-GE3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Surface Mount 1.4V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V 20 V ±12V - - - 6-TSOP - 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIHFR220TRL-GE3

SIHFR220TRL-GE3

MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK

Vishay Siliconix

4,301 -
SIHFR220TRL-GE3

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.8A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.9A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V 200 V ±20V 260 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFL210PBF

IRFL210PBF

MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223

Vishay Siliconix

4,057 -
IRFL210PBF

数据表

- TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 960mA (Tc) 10V 1.5Ohm @ 580mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V 200 V ±20V 140 pF @ 25 V - - SOT-223 - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRLL014PBF

IRLL014PBF

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

Vishay Siliconix

3,335 -
IRLL014PBF

数据表

- TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.7A (Tc) 4V, 5V 200mOhm @ 1.6A, 5V Surface Mount 2V @ 250µA 8.4 nC @ 5 V 60 V ±10V 400 pF @ 25 V - - SOT-223 - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI2372DS-T1-GE3

SI2372DS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 4A/5.3A SOT23-3

Vishay Siliconix

7,797 -
SI2372DS-T1-GE3

数据表

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Ta), 5.3A (Tc) 4.5V, 10V 33mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 8.9 nC @ 10 V 30 V ±20V 288 pF @ 15 V - - SOT-23-3 (TO-236) - 960mW (Ta), 1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIB800EDK-T1-GE3

SIB800EDK-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6

Vishay Siliconix

8,175 -
SIB800EDK-T1-GE3

数据表

LITTLE FOOT® PowerPAK® SC-75-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.5A (Tc) 1.5V, 4.5V 225mOhm @ 1.6A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 1.7 nC @ 4.5 V 20 V ±6V - - Schottky Diode (Isolated) PowerPAK® SC-75-6 - 1.1W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1413DH-T1-E3

SI1413DH-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

Vishay Siliconix

2,644 -
SI1413DH-T1-E3

数据表

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.3A (Ta) 1.8V, 4.5V 115mOhm @ 2.9A, 4.5V Surface Mount 800mV @ 100µA 8.5 nC @ 4.5 V 20 V ±8V - - - SC-70-6 - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI2316DS-T1-GE3

SI2316DS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Vishay Siliconix

2,694 -
SI2316DS-T1-GE3

数据表

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.9A (Ta) 4.5V, 10V 50mOhm @ 3.4A, 10V Surface Mount 800mV @ 250µA (Min) 7 nC @ 10 V 30 V ±20V 215 pF @ 15 V - - SOT-23-3 (TO-236) - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIR808DP-T1-GE3

SIR808DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

3,418 -
SIR808DP-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 4.5V, 10V 8.9mOhm @ 17A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 22.8 nC @ 10 V 25 V ±20V 815 pF @ 12.5 V - - PowerPAK® SO-8 - 29.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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