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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
RTL030P02TR

RTL030P02TR

MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6

Rohm Semiconductor

403 -
RTL030P02TR

数据表

- 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 2.5V, 4.5V 70mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 2V @ 1mA 8 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 760 pF @ 10 V - - TUMT6 - 1W (Ta) 150°C (TJ)
SCT4062KEHRC11

SCT4062KEHRC11

1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Rohm Semiconductor

166 -
SCT4062KEHRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 26A (Tc) 18V 81mOhm @ 12A, 18V Through Hole 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V 1200 V +21V, -4V 1498 pF @ 800 V AEC-Q101 - TO-247N Automotive 115W 175°C (TJ)
SCT3060ALGC11

SCT3060ALGC11

SICFET N-CH 650V 39A TO247N

Rohm Semiconductor

462 -
SCT3060ALGC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 39A (Tc) 18V 78mOhm @ 13A, 18V Through Hole 5.6V @ 6.67mA 58 nC @ 18 V 650 V +22V, -4V 852 pF @ 500 V - - TO-247N - 165W (Tc) 175°C (TJ)
SCT4045DRC15

SCT4045DRC15

750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Rohm Semiconductor

3,459 -
SCT4045DRC15

数据表

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 34A (Tc) 18V 59mOhm @ 17A, 18V Through Hole 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V 750 V +21V, -4V 1460 pF @ 500 V - - TO-247-4L - 115W 175°C (TJ)
R6047ENZ4C13

R6047ENZ4C13

MOSFET N-CH 600V 47A TO247

Rohm Semiconductor

594 -
R6047ENZ4C13

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 47A (Tc) 10V 72mOhm @ 25.8A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 145 nC @ 10 V 600 V ±20V 3850 pF @ 25 V - - TO-247 - 481W (Tc) 150°C (TJ)
SCT4062KEC11

SCT4062KEC11

1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Rohm Semiconductor

4,717 -
SCT4062KEC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 26A (Tc) 18V 81mOhm @ 12A, 18V Through Hole 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V 1200 V +21V, -4V 1498 pF @ 800 V - - TO-247N - 115W 175°C (TJ)
SCT4036KW7TL

SCT4036KW7TL

1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Rohm Semiconductor

413 -
SCT4036KW7TL

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 40A (Tj) 18V 47mOhm @ 21A, 18V Surface Mount 4.8V @ 11.1mA 91 nC @ 18 V 1200 V +21V, -4V 2335 pF @ 800 V - - TO-263-7L - 150W 175°C (TJ)
RSR015P03TL

RSR015P03TL

MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3

Rohm Semiconductor

5,791 -
RSR015P03TL

数据表

- SC-96 Tape & Reel (TR) Last Time Buy P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.5A (Ta) 4V, 10V 235mOhm @ 1.5A, 10V Surface Mount - 2.6 nC @ 5 V 30 V ±20V 190 pF @ 10 V - - TSMT3 - 1W (Ta) -
RRQ030P03TR

RRQ030P03TR

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

Rohm Semiconductor

1,722 -
RRQ030P03TR

数据表

- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Last Time Buy P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 4V, 10V 75mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 12 nC @ 10 V 30 V ±20V 480 pF @ 10 V - - TSMT6 (SC-95) - 600mW (Ta) 150°C (TJ)
RND030N20TL

RND030N20TL

MOSFET N-CH 200V 3A CPT3

Rohm Semiconductor

2,863 -
RND030N20TL

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Tc) 10V 870mOhm @ 1.5A, 10V Surface Mount 5.2V @ 1mA 6.7 nC @ 10 V 200 V ±30V 270 pF @ 25 V - - CPT3 - 850mW (Ta), 20W (Tc) 150°C (TJ)
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